IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
GT30J322 GT30J322 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
GT35J321 GT35J321 Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Акция
GT45G122 GT45G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 45 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Макс. ток коллектора:
45A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
Акция
GT50J325 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO264
GT50J327 GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Акция
GT60N321 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
2-21F2C
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W
GT60PR21
Производитель:
Toshiba Semiconductor
HD450HF120X6S
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HD450HF170X6S
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HD600HF120X6S
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HD600HF170X6S
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HFGM100A 1200V HFGM100A 1200V Модуль силовой IGBT 1200В/100A
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HFGM100A 1700V HFGM100A 1700V Модуль силовой IGBT 1700В/100A
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HFGM195A 600V HFGM195A 600V Модуль силовой IGBT 600В
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
Акция
HFGM200A 1200V HFGM200A 1200V Модуль силовой IGBT 1200В/200A
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HFGM300A 1200V HFGM300A 1200V Модуль силовой IGBT 1200В/300A
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
HFGM450HF120
Производитель:
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
170 шт
Цена от:
от 5 896,38
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTD7N60C3S9A HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
165 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"