Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

KSP92BU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 000 шт

Аналоги:

26 403 шт

Цена от:

от 5,50₽

MJ11015G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

309 шт

Цена от:

от 820,31₽

MJ11016G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

210 шт

Цена от:

от 854,30₽

MJ11032G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

50 А

Мощность Макс.:

300 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

280 шт

Цена от:

от 929,74₽

Акция

MJ15003G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

140 В

Ток коллектора Макс.:

20 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

21 шт

Внешние склады:

400 шт

Аналоги:

60 шт

Цена от:

от 646,75₽

MJ15015G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 15 А, 180W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

180 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

6 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 539,83₽

MJ15022G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 16 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 492,30₽

MJ15023G Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 16 А, 250Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 629,27₽

MJ21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

105 шт

Цена от:

от 1 443,28₽

MJ21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 377,60₽

MJ4502G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 30 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 756,15₽

MJ802G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

90 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

250 шт

Цена от:

от 629,09₽

MJB41CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 500 шт

Аналоги:

2 289 шт

Цена от:

от 69,93₽

MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 800 шт

Аналоги:

9 743 шт

Цена от:

от 75,76₽

MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 875 шт

Аналоги:

5 723 шт

Цена от:

от 54,52₽

Акция

MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Аналоги:

5 098 шт

Цена от:

от 68,80₽

MJD122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 025 шт

Аналоги:

74 804 шт

Цена от:

от 69,61₽

MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

61 200 шт

Аналоги:

15 629 шт

Цена от:

от 27,04₽

MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 500 шт

Аналоги:

9 675 шт

Цена от:

от 70,70₽

MJD128T4G TRANS, PNP, 120V, 8A, 150°C, 20W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 95,29₽