Одиночные MOSFET транзисторы

₂₄₅

Напряжение сток-исток макс.: 200В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (245)

FDS2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

204Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2220пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA65N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB19N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 7.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

50 шт

Цена от:

от 230,02₽

FQD12N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD18N20V2TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6.5нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP34N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

3100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"