Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

Акция

FDMS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21.1A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

241нКл

Входная емкость:

10380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

272 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 84,46₽

-6% Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 561 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 8,94₽

Акция

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

725 шт

Внешние склады:

9 000 шт

Цена от:

от 12,59₽

-6% Акция

FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.3нКл

Входная емкость:

423пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

409 шт

Внешние склады:

9 000 шт

Цена от:

от 6,35₽

Акция

FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 171 шт

Внешние склады:

12 390 шт

Цена от:

от 8,94₽

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 029 шт

Внешние склады:

22 174 шт

Цена от:

от 6,35₽

-6% Акция

FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5.9нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 006 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,50₽

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 508 шт

Внешние склады:

6 750 шт

Цена от:

от 17,61₽

-6% Акция

FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

298пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

823 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,44₽

FDN5618P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.25A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

13.8нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

414 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 411 шт

Цена от:

от 13,47₽

FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

8A(Ta),79A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 33А, 10В

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

107нКл @ 10В

Входная емкость:

5870пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

67 шт

Внешние склады:

1 350 шт

Цена от:

от 141,86₽

FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

49 мОм

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

59 шт

Внешние склады:

1 690 шт

Цена от:

от 117,56₽

Новинка

FDP61N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 61A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

61А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

66 шт

Внешние склады:

450 шт

Цена от:

от 179,35₽

-6% Акция

FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1475пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

74 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 49,36₽

Акция

FDPF18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18А

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

45 шт

Внешние склады:

730 шт

Цена от:

от 173,85₽

-6% Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

38.2 мОм

Мощность макс.:

33.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

191 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 26,77₽

FDPF5N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

563 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 37,37₽

-6% Акция

FDPF7N50U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 39Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

940пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

294 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 26,75₽

FDS2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

66 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

440 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 50,25₽

FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

231 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 32,75₽