Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1639
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1639)
FDD8447L FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 750 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,22₽
-5% Акция
2N7000TA 2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 684 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 493 шт
Цена от:
от 4,19₽
-5% Акция
FDN357N FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 666 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,56₽
-5% Акция
2V7002KT1G 2V7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 658 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,74₽
Акция
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,78₽
NTE4153NT1G NTE4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
915мА
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.82нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 568 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,80₽
Акция
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.2А
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
4.76нКл
Входная емкость:
432пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 458 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,45₽
NTMFS5C430NLT1G NTMFS5C430NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 38A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DFN5
Наличие:
1 436 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 38,68₽
-5% Акция
FDN302P FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
882пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 396 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,85₽
FDN360P FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 313 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,21₽
FDN358P FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 241 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,87₽
Акция
NDS332P NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 229 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,38₽
FDN306P FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 105 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,00₽
-5% Акция
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 078 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,56₽
-5% Акция
FDV302P FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.31нКл
Входная емкость:
11пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 024 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,04₽
FDT458P FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
993 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,88₽
FDS4435BZ FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
985 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,52₽
NTK3134NT1G NTK3134NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 750мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
750мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
310мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
950 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,68₽
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
924 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 224,93₽
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
912 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 45,69₽
На странице: