Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDS4435BZ FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
420 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,97
FDS4465 FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8237пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
244 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 64,13
-6% Акция
FDS6294 FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11.3 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
282 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,20
-6% Акция
FDS6298 FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,39
FDS6676AS FDS6676AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
765 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 31,55
FDS6679AZ FDS6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
3845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
540 шт

Внешние склады:
9 480 шт
Цена от:
от 19,58
-6% Акция
FDS6690A FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 457 шт

Внешние склады:
6 309 шт
Цена от:
от 25,82
-6% Акция
FDS6690AS FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
390 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,49
FDS8880 FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
582 шт

Внешние склады:
5 020 шт
Цена от:
от 27,21
-6% Акция
FDS8884 FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
847 шт

Внешние склады:
5 525 шт
Цена от:
от 20,03
FDS9431A FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 522 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 54,98
FDS9435A FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
528пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 528 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 16,56
-6% Акция
FDT439N FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 554 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,70
FDT458P FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 003 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,39
-6% Акция
FDT86102LZ FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
107 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 42,49
FDV301N FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
220мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.06В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
9.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
263 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 437 шт
Цена от:
от 4,05
-6% Акция
FDV302P FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.31нКл
Входная емкость:
11пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 059 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,94
FDV303N FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
680мА
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 957 шт

Внешние склады:
44 250 шт
Аналоги:
104 435 шт
Цена от:
от 2,77
Акция
FDV304P FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
460мА
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
63пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 392 шт

Внешние склады:
32 500 шт
Цена от:
от 4,19
-6% Акция
FDV305N FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
109пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
715 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,21
На странице: