Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

421 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,62₽

NTF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

418 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 45,14₽

-5% Акция

FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.8 Ом

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.5нКл

Входная емкость:

705пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

398 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 66,76₽

FDS2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

66 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

394 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 55,34₽

FDD6685 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

386 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,81₽

-5% Акция

FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

900мА

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.5нКл

Входная емкость:

109пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

381 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 9,63₽

-5% Акция

HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

376 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 37,77₽

-5% Акция

FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

340 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 28,38₽

NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

330 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 49,83₽

FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15.7A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

28.9нКл

Входная емкость:

1465пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

315 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 84,19₽

Акция

FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.7 Ом

Мощность макс.:

23Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

306 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,15₽

FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

297 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 95,60₽

-5% Акция

FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

11.3 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

282 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 21,38₽

-5% Акция

FDPF7N50U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 39Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

940пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

263 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,02₽

Акция

FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

258 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 454,79₽

FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

49 мОм

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

251 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 173,76₽

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

247 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 114,92₽

Акция

FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

226 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 164,28₽

FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

223 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,07₽

-5% Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

219 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 41,44₽