Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 220,46
Акция
FQA9N90C_F109 FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
56 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 275,30
FQB12P20TM FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 445,64
-6% Акция
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
235 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,35
Акция
FQD17P06TM FQD17P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
102 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 65,57
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 61,02
Акция
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
2 600 шт
Цена от:
от 49,40
-6% Акция
FQD1N80TM FQD1N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,08
FQD3P50TM FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
4.9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
738 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 51,24
Новинка
FQD7P20TM FQD7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 000 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 43,17
-6% Акция
FQP11N40C FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,42
-6% Акция
FQP13N06L FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
578 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,68
-6% Акция
FQP13N50C FQP13N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
195Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
175 шт

Внешние склады:
825 шт
Цена от:
от 94,06
Новинка
FQP17P06 FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
194 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 156,32
-6% Акция
FQP19N20C FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 112,89
FQP27P06 FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
156 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 116,75
-6% Акция
FQP30N06 FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
184 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,20
-6% Акция
FQP30N06L FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
75 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 103,39
Акция
FQP32N20C FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
244 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 148,93
-6% Акция
FQP4N90C FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
4.2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
804 шт

Внешние склады:
2 969 шт
Цена от:
от 67,85
На странице: