Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQP50N06 FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
261 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 104,35
Акция
FQP6N80C FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
777 шт
Цена от:
от 149,35
Акция
FQPF10N60C FQPF10N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
730 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
2040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 134,93
FQPF11N50CF FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
225 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,15
Акция
FQPF2N60C FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
23Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
343 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,36
-6% Акция
FQPF3N80C FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
705пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
398 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 60,17
-6% Акция
FQPF5N60C FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
651 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,10
Акция
FQPF6N90C FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
182 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 158,88
-6% Акция
FQPF7N60 FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
73 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,58
-6% Акция
FQPF7N65C FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1245пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
202 шт

Внешние склады:
890 шт
Аналоги:
767 шт
Цена от:
от 104,32
FQPF8N80C FQPF8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
59Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 121,00
FQT4N20LTF FQT4N20LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 826 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,92
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 123 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 33,59
-6% Акция
HUF75329D3ST HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
128Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
651 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,37
-6% Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
376 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,05
-6% Акция
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
19 723 шт

Внешние склады:
42 551 шт
Аналоги:
200 769 шт
Цена от:
от 2,83
-6% Акция
NDS0610 NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 084 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Цена от:
от 3,58
-6% Акция
NDS331N NDS331N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (SUPERSOT-23)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
162пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 866 шт

Внешние склады:
19 200 шт
Цена от:
от 8,68
Акция
NDS332P NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 555 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 17,37
-6% Акция
NDS352P NDS352P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.85А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.85А
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
189 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,54
На странице: