Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

897
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (897)
Акция
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
61 724 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,82
IRF830PBF IRF830PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
9 938 шт

Внешние склады:
4 975 шт
Аналоги:
493 шт
Цена от:
от 43,20
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8А 2Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 699 шт

Внешние склады:
3 125 шт
Цена от:
от 26,52
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 890 шт

Внешние склады:
2 463 шт
Цена от:
от 15,30
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 674 шт

Внешние склады:
216 шт
Аналоги:
9 040 шт
Цена от:
от 3,71
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
5.5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 782 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 370 шт
Цена от:
от 8,27
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
183нКл
Входная емкость:
5590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 212 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 21,46
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 610 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
217 шт
Цена от:
от 49,01
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 453 шт

Внешние склады:
2 332 шт
Аналоги:
3 053 шт
Цена от:
от 55,53
IRF840PBF IRF840PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
6 369 шт

Внешние склады:
3 350 шт
Цена от:
от 40,93
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
4.3A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
51 mOhm @ 3.2A, 10V
Мощность макс.:
1.7W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5V @ 250 µA
Заряд затвора:
13nC @ 10V
Входная емкость:
370pF @ 20V
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 062 шт

Внешние склады:
966 шт
Цена от:
от 17,92
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 024 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 900 шт
Цена от:
от 44,41
TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
185мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.7нКл
Входная емкость:
23пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 000 шт

Внешние склады:
2 708 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 13,71
Акция
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
12нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 715 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 538 шт
Цена от:
от 25,59
Акция
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
12нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 538 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 715 шт
Цена от:
от 17,80
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
345 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 076 шт

Внешние склады:
8 751 шт
Аналоги:
6 248 шт
Цена от:
от 15,45
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 782 шт

Внешние склады:
990 шт
Аналоги:
297 шт
Цена от:
от 46,53
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 014 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,75
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 980 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 989 шт
Цена от:
от 99,84
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
112 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 843 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
22 572 шт
Цена от:
от 5,54
На странице: