Одиночные IGBT транзисторы

30
Корпус: TO3P
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (30)
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
3 617 шт

Внешние склады:
6 345 шт
Цена от:
от 100,34
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Наличие:
418 шт

Внешние склады:
657 шт
Цена от:
от 224,40
SGT50T65FD1PN SGT50T65FD1PN Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт
Производитель:
Silan Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Наличие:
197 шт

Внешние склады:
3 236 шт
Цена от:
от 73,89
RJH3047DPK RJH3047DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
50A
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,36
Акция
STGWT30V60DF STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 166,06
CRG40T60AN3H CRG40T60AN3H IGBT 600V 40A 280W Through Hole TO-3PN
Производитель:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Корпус:
TO-3P(N)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 146,42
FGA15N120ANTDTU_F109 FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
186 Вт
Переключаемая энергия:
3 мДж
FGA20N120FTDTU FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
FGA20S125P-SN00336 FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA20S140P FGA20S140P Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
FGA25S125P FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA50N100BNTD2 FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
1.81 мДж
FGA6560WDF FGA6560WDF Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA90N33ATDTU FGA90N33ATDTU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FHA60T60A FHA60T60A Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Guangzhou FeiHong Semiconductor Co., Ltd
Корпус:
TO-3P
GT50J327 GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Акция
RJH3077DPK RJH3077DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Акция
RJH60F5DPK RJH60F5DPK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"