Одиночные IGBT транзисторы

66
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (66)
Акция
SGW25N120 SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
46 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
Наличие:
17 шт

Внешние склады:
11 шт
Цена от:
от 841,56
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 412,33
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
1.66 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 322,26
FGA15N120ANTDTU_F109 FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
186 Вт
Переключаемая энергия:
3 мДж
FGA20N120FTDTU FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
FGH25N120FTDS FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
1.42 мДж
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
640 мкДж
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.31 мДж
IRG4PH40UD-EPBF IRG4PH40UD-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.04 мДж
Акция
IRG4PH50KDPBF IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
3.83 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 822 шт
Цена от:
от 189,92
IRG4PH50KPBF IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.21 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"