Одиночные IGBT транзисторы

182
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (182)
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
FGD5T120SH FGD5T120SH IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-252-3; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.9V; Power Dissipation Pd:69W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-252; No.
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGH25N120FTDS FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
1.42 мДж
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD IGBT, SINGLE, 1.2KV, 120A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
FGW40N120HD IGBT 40A 1200V HIGH-SPEED V SERIES TO249
Производитель:
Fuji Electric
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGW40N120WD 430W 1.2kV TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fuji Electric
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGW40XS120C 351W 1.2kV TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fuji Electric
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGY100T120SWD 866W 1.2kV FS (Field Stop) TO-247-3LD Single IGBTs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
GWA40MS120DF4AG GWA40MS120DF4AG IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
HGTP10N120BN HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGTP5N120BND HGTP5N120BND Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 3.2A 28Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
3.2A
Импульсный ток коллектора макс.:
3.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
28W
Переключаемая энергия:
140 µJ
IGW08T120FKSA1 IGW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 16A 70Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
217W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"