Одиночные IGBT транзисторы

66
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (66)
IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Акция
IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 822 шт
Цена от:
от 189,92
IRG4PH50UPBF IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
530 мкДж
IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO274AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
78 А
Импульсный ток коллектора макс.:
156 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
5.68 мДж
IRG7PH30K10DPBF IRG7PH30K10DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 180 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
27 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Переключаемая энергия:
530 мкДж
Акция
IRG7PH42U-EP IRG7PH42U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 90 А, 385 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
90 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
385 Вт
Переключаемая энергия:
2.11 мДж
Акция
IRG7PH42UDPBF IRG7PH42UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 320 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
320 Вт
Переключаемая энергия:
2.11 мДж
Акция
IRG7PH42UPBF IRG7PH42UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
90 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
385 Вт
Переключаемая энергия:
2.11 мДж
IRG7PH46UD-EP IRG7PH46UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 108 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
2.61 мДж
IRG7PH46UDPBF IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
2.61 мДж
IRG7PH46UPBF IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
130 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.56 мДж
Акция
IRG7PH50UPBF IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
556 Вт
Переключаемая энергия:
3.6 мДж
IRGP20B120U-EP IRGP20B120U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
1.07 мДж
Акция
IRGPS40B120UDP IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
Акция
IRGPS40B120UPBF IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
105 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
3.21 мДж
SGP02N120 SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6.2 А
Импульсный ток коллектора макс.:
9.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
SGP07N120XKSA1 SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
16.5 А
Импульсный ток коллектора макс.:
27 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
SGP15N120XKSA1 SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
198 Вт
Переключаемая энергия:
1.9 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"