Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

₁₅₆

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (156)

-8% Акция

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

165 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Наличие:

182 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 360,12₽

-8% Акция

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

995 шт

Внешние склады:

2 725 шт

Цена от:

от 170,10₽

-8% Акция

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

790 шт

Внешние склады:

1 124 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 143,94₽

-8% Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

887 шт

Внешние склады:

294 шт

Цена от:

от 160,02₽

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

378 Вт

Переключаемая энергия:

1.79 мДж

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

69 шт

Цена от:

от 486,42₽

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

473 шт

Внешние склады:

1 576 шт

Цена от:

от 180,90₽

FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F formed lead

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 55,26₽

FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

330V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

43W

Наличие:

87 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 149,28₽

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

43 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

950 мкДж

Наличие:

268 шт

Внешние склады:

190 шт

Цена от:

от 242,64₽

Новинка

HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3LD (Case 340CK)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

463 Вт

Переключаемая энергия:

280 мкДж

Наличие:

51 шт

Внешние склады:

230 шт

Цена от:

от 243,30₽

-8% Акция

ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

361 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 110,64₽

AFGHL75T65SQ IGBT, 650V, 75A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

39 шт

Цена от:

от 500,28₽

AFGY120T65SPD IGBT, 650V, 120A, 175°C, 714W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 1 226,76₽

FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

312 Вт

Переключаемая энергия:

4.1 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

328 шт

Цена от:

от 356,94₽

FGA40N65SMD IGBT, 650V, 80A, 175°C, 349W;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 124 шт

Цена от:

от 185,28₽

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

450 шт

Цена от:

от 181,62₽

FGA6560WDF Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

361 шт

Цена от:

от 200,82₽

FGAF20N60SMD Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) 600 В 40 A 62.5 W

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

47 шт

Цена от:

от 262,68₽

FGD3040G2-F085 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 390В 25.6A 150Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

390 В

Макс. ток коллектора:

25.6 А

Макс. рассеиваемая мощность:

150 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 140,04₽

FGD3245G2-F085 TRANSISTOR, IGBT, 450V, 23A, TO252AA; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.13V; Power Dissipation Pd:150W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transistor Case Style:TO-252AA; No.

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 193,74₽