- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1203)
FDA18N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 19A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 265 мОм
Мощность макс.: 239Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2860пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA20N50F
Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 260 мОм
Мощность макс.: 388Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 3390пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA24N40F
Транзистор полевой N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 235Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3030пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 24A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 85нКл
Входная емкость: 4150пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50F
Транзистор полевой N-канальный 500В 24A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 85нКл @ 10В
Входная емкость: 4310пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FDA38N30
Транзистор полевой N-канальный 300В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 85 мОм
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA50N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 48 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 105 мОм
Мощность макс.: 625Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 137нКл
Входная емкость: 6460пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA59N25
Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 49 мОм
Мощность макс.: 392Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 82нКл
Входная емкость: 4020пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA59N30
Транзистор полевой N-канальный 300В 59A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 56 мОм
Мощность макс.: 500Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4670пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA69N25
Транзистор полевой N-канальный 250В 69A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PN
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 69A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 480Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4640пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA70N20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 3970пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDB0190N807L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
FDB024N06
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 395Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 226нКл
Входная емкость: 14885пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB031N08
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 220нКл
Входная емкость: 15160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB035AN06A0
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 310Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 124нКл
Входная емкость: 6400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB035N10A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 333Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 116нКл
Входная емкость: 7295пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB045AN08A0
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 310Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 138нКл
Входная емкость: 6600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB047N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 210нКл
Входная емкость: 15265пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB050AN06A0
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 245Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 3900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB060AN08A0
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 255Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 5150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара