Одиночные биполярные транзисторы

₂₅

Мощность Макс.: 1.75 Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (25)

MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

80 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

11 463 шт

Цена от:

от 45,50₽

MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

2 484 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

4 059 шт

Цена от:

от 23,71₽

-6% Акция

MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

2 115 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 085 шт

Цена от:

от 69,96₽

Акция

MJD2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

198 шт

Внешние склады:

1 950 шт

Аналоги:

5 000 шт

Цена от:

от 51,56₽

MJD3055T4G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

1 063 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 36,59₽

-6% Акция

MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

1 472 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

1 200 шт

Цена от:

от 27,59₽

MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

85 МГц

Наличие:

3 809 шт

Внешние склады:

40 645 шт

Аналоги:

29 218 шт

Цена от:

от 16,44₽

Акция

MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

2 297 шт

Внешние склады:

2 100 шт

Аналоги:

54 898 шт

Цена от:

от 37,75₽

MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 800 шт

Аналоги:

9 743 шт

Цена от:

от 73,37₽

MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 875 шт

Аналоги:

5 723 шт

Цена от:

от 52,80₽

Акция

MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Аналоги:

5 098 шт

Цена от:

от 66,62₽

MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

61 200 шт

Аналоги:

14 220 шт

Цена от:

от 26,19₽

MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 500 шт

Аналоги:

9 700 шт

Цена от:

от 68,47₽

MJD2955T4G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

2 148 шт

Цена от:

от 26,52₽

MJD42CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 200 шт

Аналоги:

6 472 шт

Цена от:

от 82,52₽

Акция

MJD44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

85 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 494 шт

Аналоги:

71 178 шт

Цена от:

от 41,14₽

MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 775 шт

Цена от:

от 35,91₽

MJD45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 365 шт

Аналоги:

52 930 шт

Цена от:

от 34,93₽

MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

500

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 55,04₽

NJVMJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 33,45₽

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips, Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.31992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"

Дополнительная информация

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение