Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

156
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (156)
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
FGY75T120SWD FGY75T120SWD IGBT, 1.68V, 150A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
FJPF5021OTU FJPF5021OTU TRANSISTOR, FAIRCHILD, FJPF5021OTU
Производитель:
ON Semiconductor
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
HGTD7N60C3S9A HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
165 мкДж
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 104Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
24A
Импульсный ток коллектора макс.:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
104W
Переключаемая энергия:
380 µJ (on), 900 µJ (off)
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3LD (Case 340CK)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 63 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTP10N120BN HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Акция
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
104 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
На странице: