Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (114)

NGTB40N120FL3WG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 454W

Сообщить о поступлении

NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 384W Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

NGTB50N60FL2WG Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NGTG15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

SGF5N150UFTU Биполярный транзистор IGBT, 1500 В, 10 А, 62.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1500 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 62.5 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж

Сообщить о поступлении

SGH30N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 235 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P

Сообщить о поступлении

Акция

SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 160W

Сообщить о поступлении

SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 195 Вт Переключаемая энергия: 570 мкДж

Сообщить о поступлении

SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 160 А Импульсный ток коллектора макс.: 300 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 2.5 мДж

Сообщить о поступлении

SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.68 мДж

Сообщить о поступлении

SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Сообщить о поступлении

SGS10N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 55 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 55 Вт Переключаемая энергия: 141 мкДж

Сообщить о поступлении

SGS23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 73 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Сообщить о поступлении

TIG065E8-TL-H IGBT 400V ECH8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-ECH Макс. напр. коллектор-эмиттер: 400V Импульсный ток коллектора макс.: 150A

Сообщить о поступлении