MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА

MOSFET - это аббревиатура от английского словосочетания Metal-Ox-ide-Semiconductor Field Effect Transistor (Металл-Оксидные Полупроводниковые Полевые Транзисторы).
Данный класс транзисторов отличается, прежде всего, минимальной мощностью управления при значительной выходной (сотни ватт). Также необходимо отметить чрезвычайно малые значения сопротивления в открытом состоянии (десятые доли ома при выходном токе в десятки ампер) а, следовательно, минимальную мощность, выделяющуюся на транзисторе в виде тепла.

Обозначается этот тип транзисторов следующим образом:


N-канальный

P-канальный
, где G - затвор
D - сток
S - исток
Также для сокращения числа внешних компонентов, в транзистор может быть встроен мощный высокочастотный демпферный диод.

К неоспоримым преимуществам MOSFET перед биполярными можно отнести также следующие пункты:
  • Минимальная мощность управления и большой коэффициент усиления по току, обеспечивает простоту схем управления (есть даже разновидность MOSFET управляемая логическими уровнями)
  • Большая скорость переключения (при этом минимальны задержки выключения, обеспечивается широкая область безопасной работы)
  • Возможность простого параллельного включения транзисторов для увеличения выходной мощности
  • Устойчивость транзисторов к большим импульсам напряжения (dv/dt)
Данные приборы находят широкое применение в устройствах управления мощной нагрузкой, импульсных источниках питания (здесь область их применения несколько ограничена максимальным напряжением сток-исток (до 1000 В), для более высоковольтных приложений используются IGBT транзисторы, информацию по ним Вы можете найти в подразделе ).

Основные параметры MOSFET-транзисторов:

Ucи.макс. - Максимальное напряжение сток-исток
Ic.макс. - Максимальный продолжительный ток стока при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает на ~ 30%, при работе в импульсном режиме - повышается в ~2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pс.макс. - Максимальная рассеиваемая стоком мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности линейно падает в ~2...2,5 раза
Rсиотк. - Максимальное значение статического сопротивления сток-исток в открытом состоянии

Наименование Тип канала Uси макс., В Iс макс., А Pс макс., Вт Rсиотк., Ом
В корпусе SOT-223
IRFL014 N 60 2,7 2 0,2
IRFL014N N 55 1,9 2,1 0,16
IRFL024N N 55 2,8 2,1 0,075
IRFL110 N 100 1,5 2 0,54
IRFL210 N 200 0,96 2 1,5
IRFL4105 N 55 3,7 2,1 0,045
IRFL4310 N 100 1,6 2,1 0,2
IRFL9014 P 60 1,8 2 0,5
IRFL9110 P 100 1,1 2 1,2
SPN04N60C2 N 600 0,4 1,8 0,95
В корпусе D2PAK
IRF530NS N 100 14 75 0,16
IRF540NS N 100 33 130 0,052
IRF630NS N 200 9,3 82 0,3
IRF640NS N 200 18 125 0,15
IRF740S N 400 10 125 0,55
IRF840S N 500 8 125 0,85
IRFZ44NS N 55 49 110 0,022
IRF1310NS N 100 42 160 0,036
IRF1404S N 40 162 200 0,004
IRF3205S N 55 110 200 0,008
IRF3710S N 100 57 200 0,025
IRF4905S P 55 74 200 0,02
IRF5210S P 100 40 200 0,06
IRF5305S P 55 31 110 0,06
IRF9Z34NS P 55 19 68 0,1
MTD20N06HD N 60 20 40 0,045
В корпусе SO8
IRF7103 N+N 50 3 2 0,13
IRF7104 P+P 20 2,3 2 0,25
IRF7105 N+(P) 25 3,5(2,3) 2 0,109(0,25)
IRF7201 N 30 7 2,5 0,03
IRF7204 P 20 5,3 2,5 0,06
IRF7205 P 30 4,6 2,5 0,07
IRF7207 P 20 5,4 2,5 0,06
IRF7210 P 12 16 2,5 0,007
IRF7220 P 14 11 2,5 0,012
IRF7301 N+N 20 5,2 2 0,05
IRF7303 N+N 30 4,9 2 0,05
IRF7304 P+P 20 4,3 2 0,09
IRF7306 P+P 30 3,6 2 0,1
IRF7307 N+(P) 20 4,3(3,6) 1,4 0,05(0,09)
IRF7309 N+(P) 30 4,9(3,6) 2 0,05(0,1)
IRF7311 N+N 20 6,6 2 0,029
IRF7313 N+N 30 6,5 2 0,029
IRF7314 P+P 20 5,3 2 0,058
IRF7316 P+P 30 4,9 2 0,058
IRF7319 N+(P) 30 6,5(4,9) 2 0,029(0,058)
IRF7341 N+N 55 4,7 2 0,05
IRF7342 P+P 55 3,4 2 0,105
IRF7343 N+(P) 55 4,7(3,4) 2 0,05(0,105)
IRF7389 N+(P) 30 7,3(5,3) 2,5 0,029(0,058)
IRF7401 N 20 8,7 2,5 0,022
IRF7403 N 30 8,5 2,5 0,022
IRF7404 P 20 6,7 2,5 0,04
IRF7406 P 30 5,8 2,5 0,045
IRF7413 N 30 13 2,5 0,011
IRF7416 P 30 10 2,5 0,02
IRF7450 N 200 2,5 2,5 0,17
IRF7455 N 30 15 2,5 0,0075
IRF7468 N 40 9,4 2,5 0,0155
В корпусе TO-252AA
IRFR024N N 55 17 45 0,075
IRFR120N N 100 7,7 42 0,27
IRFR310 N 400 1,7 25 3,6
IRFR320 N 400 3,1 42 1,8
IRFR3303 N 30 33 57 0,031
IRFR3910 N 100 15 52 0,11
IRFR4105 N 55 27 68 0,045
IRFR420 N 500 2,4 42 3
IRFR5305 N 55 28 89 0,065
IRFR9010 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9024 P 60 8,8 42 0,88
IRFR9024N P 55 11 38 0,175
IRFR9110 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9120N P 100 6,5 39 0,48
IRFR9220 P 200 3,6 42 1,5
IRFRC20 N 600 2 42 4,4


С управлением логическим уровнем

Наименование Тип канала Uси макс., В Iс макс., А Pс макс., Вт Rсиотк., Ом
В корпусе SOT-23
2N7002LT1 N 60 0,3 0,83 5
IRLML2803 N 30 1,2 0,54 0,25
IRLML5103 P 30 0,76 0,54 0,6
IRLML6302 P 20 0,78 0,54 0,6
BSS83 P 60 0,33 0,36 2
BSS84 P 50 0,13 0,36 8
BSS123 N 100 0,17 0,36 6
BSS131 N 240 0,1 0,36 16
BSS138 N 50 0,22 0,36 3,5
BSS139 N 250 0,04 0,36 <100
В корпусе SOT-223
IRLL014 N 55 2 2,1 0,14
IRLL024N N 55 3,1 2,1 0,065
IRLL110 N 100 1,5 2,1 0,54
IRLL2705 N 55 3,8 2,1 0,04
В корпусе D2PAK
IRL630S N 200 9 74 0,4
IRL640S N 200 17 125 0,18
IRL2505S N 55 104 200 0,008
В корпусе TO-252AA
IRLR024N N 55 17 38 0,65
IRLR110 N 100 4,3 25 0,54
IRLR120N N 100 11 39 0,125
IRLR2705 N 55 24 46 0,04
IRLR2905 N 55 42 110 0,027
IRLR3103 N 30 46 69 0,019
IRLR3410 N 100 17 79 0,105
IRLR3715 N 20 54 71 0,014
MTD20N06HDL N 60 20 40 0,045
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
1 504 шт.
Цена от:
48,04
К продаже:
319 шт.
Цена от:
45,39
К продаже:
13 053 шт.
Цена от:
43,87
К продаже:
883 шт.
Цена от:
25,10
К продаже:
6 379 шт.
Цена от:
70,04
К продаже:
12 106 шт.
Цена от:
26,26
К продаже:
6 050 шт.
Цена от:
33,35
К продаже:
1 238 шт.
Цена от:
97,21
К продаже:
42 406 шт.
Цена от:
3,60
К продаже:
15 521 шт.
Цена от:
5,87
К продаже:
37 320 шт.
Цена от:
3,07
К продаже:
12 662 шт.
Цена от:
14,35
К продаже:
589 шт.
Цена от:
91,54
К продаже:
31 903 шт.
Цена от:
30,27
К продаже:
2 799 шт.
Цена от:
47,23
К продаже:
573 шт.
Цена от:
23,58
К продаже:
14 449 шт.
Цена от:
2,37
К продаже:
11 303 шт.
Цена от:
6,00
К продаже:
4 930 шт.
Цена от:
10,46
К продаже:
2 210 шт.
Цена от:
7,13
К продаже:
1 450 шт.
Цена от:
5,72
К продаже:
37 900 шт.
Цена от:
4,84
К продаже:
12 266 шт.
Цена от:
3,04
К продаже:
15 599 шт.
Цена от:
2,83
К продаже:
2 237 шт.
Цена от:
6,39
К продаже:
1 693 шт.
Цена от:
109,26
К продаже:
24 584 шт.
Цена от:
71,29
К продаже:
4 495 шт.
Цена от:
70,97
К продаже:
3 861 шт.
Цена от:
87,03
К продаже:
932 шт.
Цена от:
51,79
К продаже:
2 613 шт.
Цена от:
46,50
К продаже:
8 882 шт.
Цена от:
40,82
К продаже:
54 286 шт.
Цена от:
20,09
К продаже:
13 047 шт.
Цена от:
35,02
К продаже:
5 172 шт.
Цена от:
26,50
К продаже:
774 шт.
Цена от:
67,31
К продаже:
1 041 шт.
Цена от:
34,90
К продаже:
6 745 шт.
Цена от:
36,66
К продаже:
7 778 шт.
Цена от:
44,81
К продаже:
685 шт.
Цена от:
119,41
К продаже:
40 693 шт.
Цена от:
21,51
К продаже:
37 017 шт.
Цена от:
37,55
К продаже:
23 612 шт.
Цена от:
33,48
К продаже:
4 174 шт.
Цена от:
58,57
К продаже:
3 544 шт.
Цена от:
56,15
К продаже:
103 шт.
Цена от:
228,29
К продаже:
6 046 шт.
Цена от:
45,45
К продаже:
28 шт.
Цена от:
159,91
К продаже:
1 955 шт.
Цена от:
80,17
К продаже:
720 шт.
Цена от:
52,99
К продаже:
18 006 шт.
Цена от:
30,47
К продаже:
1 229 шт.
Цена от:
64,68
К продаже:
2 968 шт.
Цена от:
29,55
К продаже:
468 шт.
Цена от:
34,45
К продаже:
3 532 шт.
Цена от:
32,25
К продаже:
7 864 шт.
Цена от:
36,18
К продаже:
12 224 шт.
Цена от:
24,84
К продаже:
2 297 шт.
Цена от:
36,77
К продаже:
1 744 шт.
Цена от:
22,07
К продаже:
2 176 шт.
Цена от:
66,44
К продаже:
13 192 шт.
Цена от:
16,79
К продаже:
2 048 шт.
Цена от:
171,82
К продаже:
7 633 шт.
Цена от:
6,82
К продаже:
611 шт.
Цена от:
7,56
К продаже:
421 шт.
Цена от:
69,17
К продаже:
892 шт.
Цена от:
29,36
  • Производитель
    Корпус
    Описание
SOIC8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6.5 А/4.9 А, 2 Вт, 0.029 Ом/0.058 Ом
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А/3 А, 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.1А 0.36Вт, 16 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.04А 0.36Вт, 100 Ом
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
TSSOP6
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.32Вт
SOT-363
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 200 мА
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23А 0.36Вт
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт
SOT-363
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,28A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 2Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.6 А
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 55 В, 3.4 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 55 В, 2W
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 135Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
SOIC8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
SOT-223 (High Voltage)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8А 2Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
DPAK/TO-252AA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА 0.31Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A