Подробные описания в формате PDF вы можете загрузить напрямую, нажав на ссылку в наименовании компонента.
Расшифровка сокращений:
- Uси - напряжение сток-исток
- Iс - ток стока
- Rds - сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии
- Rds max(10В) - сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии при Uзс=10В
- Rds max(4,5В) - сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии при Uзс=4,5В
- Rds max(2,5В) - сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии при Uзс=2,5В
- Rds max(1,8В) - сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии при Uзс=1,8В
- FETBench - доступность on-line анализа разработанной схемы с применением данного транзистора
Наименование Краткое описание Канал Конфигурация Корпус Uси Iс Rds Rds(10В) Rds(4,5В) Rds(2,5В) Rds(1,8В) Масса, г FETBench FDG6316P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET P Сдвоенный SC70-6 12 В 0,7 А 270 мОм 0,27 Ом 0,36 Ом 0,65 Ом 1,7 FETBench FDG330P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC70-6 12 В 2 А 110 мОм 0,11 Ом 0,15 Ом 0,215 Ом 5 FETBench FDC6318P Сдвоенный P-канальный 1,8В PowerTrench MOSFET P Сдвоенный SSOT-6 12 В 2,5 А 90 мОм 0,09 Ом 0,125 Ом 0,2 Ом 5,4 FETBench FDN306P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ®MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 12 В 2,6 А 40 мОм 0,04 Ом 0,05 Ом 0,08 Ом 12 FETBench FDW2508PB -12В Сдвоенный P-канальный -1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный TSSOP-8 12 В 6 А 18 мОм 0,018 Ом 0,022 Ом 0,03 Ом 32 FETBench FDW2508P Сдвоенный P-канальный 1,8 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный TSSOP-8 12 В 6 А 18 мОм 0,018 Ом 0,022 Ом 0,03 Ом 26 FETBench FDC606P P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET P Одиночный SSOT-6 12 В 6 А 26 мОм 0,026 Ом 0,035 Ом 0,053 Ом 18 FETBench FDD306P -12В P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 12 В 6,7 А 28 мОм 0,028 Ом 0,041 Ом 0,09 Ом 15 FETBench FDW258P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET P Одиночный TSSOP-8 12 В 9 А 11 мОм 0,011 Ом 0,014 Ом 0,02 Ом 61 FETBench FDR842P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET P Одиночный SSOT-8 12 В 11 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 0,016 Ом 57 FETBench RF3S49092SM9A 20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ом, с управлением логическими уровнями, Комплементарная пара Power MOSFET N, P Сдвоенный Common Drain 12 В 20 А 60 мОм 0,06 Ом 20 FETBench FDY101PZ -20В Одиночный P-канальный (-2,5V) (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC89 20 В 0,15 А 8000 мОм 8 Ом 12 Ом 15 Ом 1 FETBench FDY2001PZ -20В Сдвоенный P-канальный (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SC89 20 В 0,15 А 8000 мОм 8 Ом 12 Ом 15 Ом 1 FETBench FDY301NZ 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC89 20 В 0,2 А 5000 мОм 5 Ом 7 Ом 9 Ом 0,8 FETBench FDY3001NZ 20В Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SC89 20 В 0,2 А 5000 мОм 5 Ом 7 Ом 9 Ом 0,8 FETBench FDY4001CZ 20В Комплементарная пара N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Сдвоенный SC89 20 В 0,2 А 5 мОм 0,005 Ом 0,007 Ом 0,009 Ом 0,8 FETBench FDY2000PZ -20В Сдвоенный P-канальный (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SC89 20 В 0,35 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,6 Ом 2,7 Ом 1 FETBench FDY100PZ -20В Одиночный P-канальный (- 2.5V) (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC89 20 В 0,35 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,6 Ом 2,7 Ом 1 FETBench FDG6318PZ Сдвоенный P-канальный, цифровой FET P Сдвоенный SC70-6 20 В 0,5 А 780 мОм 0,78 Ом 1,2 Ом 1,08 FETBench FDG6318P Сдвоенный P-канальный, цифровой FET P Сдвоенный SC70-6 20 В 0,5 А 780 мОм 0,78 Ом 1,2 Ом 0,86 FETBench FDG6306P P-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SC70-6 20 В 0,6 А 420 мОм 0,42 Ом 0,63 Ом 1,4 FETBench FDY300NZ 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC89 20 В 0,6 А 700 мОм 0,7 Ом 0,85 Ом 1,25 Ом 0,8 FETBench FDY3000NZ 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SC89 20 В 0,6 А 700 мОм 0,7 Ом 0,85 Ом 1,25 Ом 0,8 FETBench FDY4000CZ 20В Комплементарная пара N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Сдвоенный SC89 20 В 0,6 А 700 мОм 0,7 Ом 0,85 Ом 1,25 Ом 0,8 FETBench FDG6308P Сдвоенный P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SC70-6 20 В 0,6 А 400 мОм 0,4 Ом 0,55 Ом 0,8 Ом 1,8 FETBench FDG6332C 20В N &P - Channel Power Trench® MOSFET N P Комплементарная пара SC70-6 20 В 0,7 А 300 мОм 0,3 Ом 0,4 Ом 1,1 FETBench FDG6335N Сдвоенный 20В N-канальный PowerTrench MOSFET N Сдвоенный SC70-6 20 В 0,7 А 300 мОм 0,3 Ом 0,4 Ом 1,1 FETBench FDG6317NZ Сдвоенный 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SC70-6 20 В 0,7 А 400 мОм 0,4 Ом 0,55 Ом 0,76 FETBench FDV305N 20В N-канальный PowerTrench MOSFET N Одиночный SOT-23 20 В 0,9 А 220 мОм 0,22 Ом 0,3 Ом 1,1 FETBench NDS332P P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1 А 300 мОм 0,3 Ом 0,41 Ом 3,7 FETBench FDG312P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC70-6 20 В 1,2 А 180 мОм 0,18 Ом 0,25 Ом 3,3 FETBench FDN336P Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,2 А 200 мОм 0,2 Ом 0,27 Ом 3,6 FETBench NDS331N N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,3 А 160 мОм 0,16 Ом 0,21 Ом 3,5 FETBench FDG328P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC70-6 20 В 1,5 А 145 мОм 0,145 Ом 0,21 Ом 3,7 FETBench FDG327NZ 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC70-6 20 В 1,5 А 90 мОм 0,09 Ом 0,1 Ом 0,14 Ом 4,2 FETBench FDG327N 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC70-6 20 В 1,5 А 90 мОм 0,09 Ом 0,1 Ом 0,14 Ом 4,5 FETBench FDN308P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,5 А 125 мОм 0,125 Ом 0,19 Ом 3,8 FETBench FDG329N 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC70-6 20 В 1,5 А 90 мОм 0,09 Ом 0,115 Ом 3,3 FETBench FDG326P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC70-6 20 В 1,5 А 140 мОм 0,14 Ом 0,18 Ом 0,25 Ом 4,4 FETBench FDN338P P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,6 А 115 мОм 0,115 Ом 0,155 Ом 4,4 FETBench FDN335N N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,7 А 70 мОм 0,07 Ом 0,1 Ом 3,5 FETBench NDS335N N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 1,7 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 6,4 FETBench FDC6306P Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SSOT-6 20 В 1,9 А 170 мОм 0,17 Ом 0,25 Ом 3 FETBench FDG311N N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET N Одиночный SC70-6 20 В 1,9 А 115 мОм 0,115 Ом 0,15 Ом 3 FETBench FDN340P -20В Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2 А 70 мОм 0,07 Ом 0,11 Ом 7,2 FETBench FDN327N N-канальный 1,8 В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2 А 70 мОм 0,07 Ом 0,08 Ом 0,12 Ом 4,5 FETBench FDN342P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2 А 80 мОм 0,08 Ом 0,13 Ом 6,3 FETBench FDMA1027P -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный MicroFET 20 В 2,2 А 120 мОм 0,12 Ом 0,16 Ом 0,24 Ом 4 FETBench FDC6310P Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SSOT-6 20 В 2,2 А 125 мОм 0,125 Ом 0,19 Ом 3,7 FETBench FDC6312P Сдвоенный P-канальный 1,8В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Сдвоенный SSOT-6 20 В 2,3 А 115 мОм 0,115 Ом 0,155 Ом 0,225 Ом 4,4 FETBench FDN304PZ P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2,4 А 52 мОм 0,052 Ом 0,07 Ом 0,1 Ом 12 FETBench FDN302P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2,4 А 55 мОм 0,055 Ом 0,08 Ом 9 FETBench FDN304P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 2,4 А 52 мОм 0,052 Ом 0,07 Ом 0,1 Ом 12 FETBench FDC6327C Сдвоенный N и P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SSOT-6 20 В 2,7 А 80 мОм 0,08 Ом 0,12 Ом 3,25 FETBench FDC6305N Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SSOT-6 20 В 2,7 А 80 мОм 0,08 Ом 0,12 Ом 3,5 FETBench NDH8304P Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Сдвоенный SSOT-8 20 В 2,7 А 70 мОм 0,07 Ом 0,095 Ом 16 FETBench FDJ1027P -20В P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный FLMP 20 В 2,8 А 160 мОм 0,16 Ом 0,23 Ом 0,39 Ом 3 FETBench FDJ1032C 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара FLMP 20 В 2,8 А 160 мОм 0,16 Ом 0,23 Ом 0,39 Ом 3 FETBench FDC636P P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SSOT-6 20 В 2,8 А 130 мОм 0,13 Ом 0,18 Ом 6 FETBench NDS9933A Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Сдвоенный SO-8 20 В 2,8 А 140 мОм 0,14 Ом 0,2 Ом 6 FETBench FDZ191P -20В P-канальный 1.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® WL-CSP MOSFET P Одиночный 1.0x1.5 WL-CSP 20 В 3 А 85 мОм 0,085 Ом 0,123 Ом 9 FETBench FDZ193P -20В P-канальный 1.7В PowerTrench® WL-CSP MOSFET P Одиночный 1.0x1.5 WL-CSP 20 В 3 А 90 мОм 0,09 Ом 0,13 Ом 7 FETBench FDC6420C 20В N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SSOT-6 20 В 3 А 70 мОм 0,07 Ом 0,095 Ом 3,3 FETBench FDN339AN N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 20 В 3 А 35 мОм 0,035 Ом 0,05 Ом 7 FETBench FDC6401N Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SSOT-6 20 В 3 А 70 мОм 0,07 Ом 0,095 Ом 3,3 FETBench FDMA1029PZ -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный MicroFET 20 В 3,1 А 60 мОм 0,06 Ом 0,088 Ом 7 FETBench FDMA1025P -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный MicroFET 20 В 3,1 А 155 мОм 0,155 Ом 0,22 Ом 3,4 FETBench FDJ1028N 20В N-канальный 2.5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный FLMP 20 В 3,2 А 90 мОм 0,09 Ом 0,13 Ом 2 FETBench FDR8308P Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SSOT-8 20 В 3,2 А 50 мОм 0,05 Ом 0,07 Ом 13 FETBench SI9933BDY -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 20 В 3,4 А 75 мОм 0,075 Ом 0,115 Ом 10 FETBench FDC634P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench®, MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 3,5 А 80 мОм 0,08 Ом 0,11 Ом 7,2 FETBench FDS9431A P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SO-8 20 В 3,5 А 130 мОм 0,13 Ом 0,18 Ом 6 FETBench FDMA1028NZ 20В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный MicroFET 20 В 3,7 А 37 мОм 0,037 Ом 0,05 Ом 4 FETBench FDMA1032CZ 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара MicroFET 20 В 3,7 А 37 мОм 0,037 Ом 0,05 Ом 4 FETBench FDMA1023PZ -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный MicroFET 20 В 3,7 А 72 мОм 0,072 Ом 0,095 Ом 0,13 Ом 8,6 FETBench FDS9933A Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 20 В 3,8 А 75 мОм 0,075 Ом 0,105 Ом 8 FETBench FDW2504P Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный TSSOP-8 20 В 3,8 А 43 мОм 0,043 Ом 0,07 Ом 9,7 FETBench FDMC6890NZ 20В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Power 33 20 В 4 А 68 мОм 0,068 Ом 0,1 Ом 2,4 FETBench SI3443DV P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 4 А 65 мОм 0,065 Ом 0,1 Ом 7,2 FETBench FDC642P P-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 4 А 65 мОм 0,065 Ом 0,1 Ом 7,2 FETBench FDS8934A Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Сдвоенный SO-8 20 В 4 А 55 мОм 0,055 Ом 0,072 Ом 20 FETBench FDJ127P P-канальный -1,8 В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET P Одиночный FLMP 20 В 4,1 А 60 мОм 0,06 Ом 0,085 Ом 0,133 Ом 7,2 FETBench FDJ129P P-канальный -2,5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDJ129P_F077 P Одиночный FLMP 20 В 4,2 А 70 мОм 0,07 Ом 0,12 Ом 4 FETBench FDC6020C Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC6020C_F077 N P Комплементарная пара FLMP 20 В 4,2 А 55 мОм 0,055 Ом 0,082 Ом 7 FETBench FDW2502P Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный TSSOP-8 20 В 4,4 А 35 мОм 0,035 Ом 0,057 Ом 14 FETBench FDC638APZ -20В P-канальный 2.5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 4,5 А 43 мОм 0,043 Ом 0,068 Ом 8 FETBench FDC640P P-канальный 2,5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 4,5 А 53 мОм 0,053 Ом 0,08 Ом 9 FETBench FDC638P Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 4,5 А 48 мОм 0,048 Ом 0,065 Ом 10 FETBench FDW9926A Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 4,5 А 32 мОм 0,032 Ом 0,045 Ом 6,1 FETBench FDW262P 20В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TSSOP-8 20 В 4,5 А 47 мОм 0,047 Ом 0,065 Ом 0,1 Ом 13 FETBench FDZ204P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 20 В 4,5 А 45 мОм 0,045 Ом 0,075 Ом 9 FETBench FDR8305N Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SSOT-8 20 В 4,5 А 22 мОм 0,022 Ом 0,028 Ом 16,2 FETBench FDW9926NZ 20В Common Draв N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Common Drain TSSOP-8 20 В 4,5 А 32 мОм 0,032 Ом 0,045 Ом 5,7 FETBench FDZ291P -20В P-канальный 1.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 20 В 4,6 А 40 мОм 0,04 Ом 0,06 Ом 9 FETBench FDZ293P -20В P-канальный 2.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 20 В 4,6 А 44 мОм 0,044 Ом 0,07 Ом 7,5 FETBench FDC6036P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC6036P_F077 P Сдвоенный FLMP 20 В 5 А 44 мОм 0,044 Ом 0,064 Ом 0,095 Ом 10 FETBench FDS8433A Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SO-8 20 В 5 А 47 мОм 0,047 Ом 0,07 Ом 20 FETBench FDS9933 Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 20 В 5 А 55 мОм 0,055 Ом 0,09 Ом 10 FETBench FDW2506P Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный TSSOP-8 20 В 5,3 А 22 мОм 0,022 Ом 0,033 Ом 21 FETBench FDJ128N N-канальный 2 ,5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET - рекомендуется FDJ128N_F077 N Одиночный FLMP 20 В 5,5 А 37 мОм 0,037 Ом 0,051 Ом 5 FETBench FDC604P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 5,5 А 33 мОм 0,033 Ом 0,043 Ом 0,06 Ом 19 FETBench FDC602P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 5,5 А 35 мОм 0,035 Ом 0,05 Ом 14 FETBench FDW2501NZ Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 5,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,025 Ом 12 FETBench FDW2521C Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N, P Комплементарная пара TSSOP-8 20 В 5,5 А 21 мОм 0,021 Ом 0,035 Ом 12 FETBench FDW2503NZ Сдвоенный - N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 5,5 А 20 мОм 0,02 Ом 0,026 Ом 12 FETBench FDZ202P -20 P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 20 В 5,5 А 45 мОм 0,045 Ом 0,075 Ом 9 FETBench FDW2503N Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 5,5 А 21 мОм 0,021 Ом 0,035 Ом 12 FETBench FDMA420NZ 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный MicroFET 20 В 5,7 А 30 мОм 0,03 Ом 8,8 FETBench FDC608PZ -20В P-канальный 2.5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SSOT-6 20 В 5,8 А 30 мОм 0,03 Ом 0,043 Ом 17 FETBench FDW2512NZ 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 6 А 28 мОм 0,028 Ом 8 FETBench FDZ294N 20В N-канальный 2.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET N Одиночный BGA 20 В 6 А 23 мОм 0,023 Ом 0,034 Ом 7 FETBench FDS6875 Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 20 В 6 А 30 мОм 0,03 Ом 0,04 Ом 23 FETBench FDT434P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-223 20 В 6 А 50 мОм 0,05 Ом 0,07 Ом 13 FETBench FDW2520C Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N, P Комплементарная пара TSSOP-8 20 В 6 А 18 мОм 0,018 Ом 0,028 Ом 14 FETBench FDW2501N Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 6 А 18 мОм 0,018 Ом 0,028 Ом 12 FETBench FDMB668P -20В P-канальный 1,8В с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный MicroFET 20 В 6,1 А 35 мОм 0,035 Ом 0,05 Ом 0,07 Ом 42 FETBench FDC637AN Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 20 В 6,2 А 24 мОм 0,024 Ом 0,032 Ом 10,5 FETBench FDS9926A Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 6,5 А 30 мОм 0,03 Ом 0,043 Ом 6,2 FETBench FDS9934C 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N, P Комплементарная пара SO-8 20 В 6,5 А 30 мОм 0,03 Ом 0,043 Ом 6,2 FETBench FDMA291P -20В Одиночный P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный MicroFET 20 В 6,6 А 42 мОм 0,042 Ом 0,058 Ом 0,0968 Ом 10 FETBench FDS6812A Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 6,7 А 22 мОм 0,022 Ом 0,035 Ом 12 FETBench FDMB506P -20В P-канальный 1,8В с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный MicroFET 20 В 6,8 А 30 мОм 0,03 Ом 0,038 Ом 0,07 Ом 3,5 FETBench FDC699P P-канальный 2,5В Power Mosfet® MOSFET рекомендуется FDC699P_F077 P Одиночный FLMP 20 В 7 А 22 мОм 0,022 Ом 0,03 Ом 27 FETBench FDW2511NZ 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный TSSOP-8 20 В 7,1 А 20 мОм 0,02 Ом 11,5 FETBench FDMW2512NZ 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Однокристальный с общим стоком MLP 2x5 6L 20 В 7,2 А 26 мОм 0,026 Ом 9 FETBench FDMA520PZ -20В Одиночный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный MicroFET 20 В 7,3 А 30 мОм 0,03 Ом 0,053 Ом 14 FETBench FDC6000NZ Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET рекомендуется FDC6000NZ_F077 N Сдвоенный FLMP 20 В 7,3 А 20 мОм 0,02 Ом 0,028 Ом 8 FETBench NDS8425 Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 20 В 7,4 А 22 мОм 0,022 Ом 0,028 Ом 11 FETBench FDS6890A Сдвоенный N-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 7,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,022 Ом 23 FETBench FDS6911 20В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 7,5 А 13 мОм 0,013 Ом 0,017 Ом 17 FETBench FDZ203N 20В N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET N Одиночный BGA 20 В 7,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,03 Ом 11 FETBench FDS6892A Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 7,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,024 Ом 12 FETBench FDW2507N Common Draв N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Common Drain TSSOP-8 20 В 7,5 А 19 мОм 0,019 Ом 0,023 Ом 20 FETBench FDS6892AZ Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 7,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,024 Ом 12 FETBench FDMC3300NZA 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Однокристальный с общим стоком Power 33 20 В 8 А 26 мОм 0,026 Ом 0,034 Ом 8 FETBench FDC697P P-канальный 1,8В PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC697P_F077 P Одиночный FLMP 20 В 8 А 20 мОм 0,02 Ом 0,025 Ом 0,035 Ом 39 FETBench FDS6375 Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFFET P Одиночный SO-8 20 В 8 А 24 мОм 0,024 Ом 0,032 Ом 23 FETBench FDR838P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-8 20 В 8 А 17 мОм 0,017 Ом 0,024 Ом 30 FETBench FDS6894A Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench ® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 8 А 17 мОм 0,017 Ом 0,02 Ом 0,03 Ом 17 FETBench FDS6894AZ Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench ® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 8 А 17 мОм 0,017 Ом 0,02 Ом 0,03 Ом 14 FETBench FDM2509NZ 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Common Drain MLP 2x5 6L 20 В 8,7 А 18 мОм 0,018 Ом 12 FETBench FDW252P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный TSSOP-8 20 В 8,8 А 12 мОм 0,0125 Ом 0,018 Ом 41 FETBench FDZ201N 20В N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET N Одиночный BGA 20 В 9 А 18 мОм 0,018 Ом 0,03 Ом 11 FETBench FDW254P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный TSSOP-8 20 В 9,2 А 12 мОм 0,012 Ом 0,015 Ом 0,0215 Ом 60 FETBench FDW254PZ P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный TSSOP-8 20 В 9,2 А 12 мОм 0,012 Ом 0,015 Ом 0,0215 Ом 60 FETBench FDS6898A 20В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 9,4 А 14 мОм 0,014 Ом 0,018 Ом 16 FETBench FDS6898AZ Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PWM Opitimized PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 20 В 9,4 А 14 мОм 0,014 Ом 0,018 Ом 16 FETBench FDR840P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-8 20 В 10 А 11 мОм 0,011 Ом 0,016 Ом 41 FETBench FDR844P P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-8 20 В 10 А 11 мОм 0,011 Ом 0,014 Ом 0,02 Ом 53 FETBench FDS6575 Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 20 В 10 А 13 мОм 0,013 Ом 0,017 Ом 50 FETBench FDM3300NZ сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET N Сдвоенный Common Drain Power 33 20 В 10 А 23 мОм 0,023 Ом 0,028 Ом 12 FETBench FDS6576 P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 20 В 11 А 14 мОм 0,014 Ом 0,02 Ом 43 FETBench FDZ206P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 20 В 13 А 9 мОм 0,0095 Ом 0,0145 Ом 38 FETBench FDS4465 P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 20 В 13,5 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,0105 Ом 0,014 Ом 86 FETBench FDS6570A Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 20 В 15 А 7 мОм 0,0075 Ом 0,01 Ом 47 FETBench FDS6574A 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 20 В 16 А 6 мОм 0,006 Ом 0,007 Ом 0,009 Ом 75 FETBench FDS6572A 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 20 В 16 А 6 мОм 0,006 Ом 0,008 Ом 57 FETBench FDB4020P P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи), МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный TO-263(D2PAK) 20 В 16 А 80 мОм 0,08 Ом 0,11 Ом 9,5 FETBench FDMC8554 20В N-канальный Power Trench® MOSFET N Одиночный Power 33 20 В 20 А 5 мОм 0,005 Ом 0,064 Ом 24 FETBench FDD6530A 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 20 В 21 А 32 мОм 0,032 Ом 0,047 Ом 6,5 FETBench FDS6162N3 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 20 В 21 А 4 мОм 0,0045 Ом 0,006 Ом 52 FETBench FDS6064N3 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 20 В 23 А 4 мОм 0,004 Ом 0,005 Ом 0,007 Ом 70 FETBench FDS6162N7 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 20 В 23 А 3 мОм 0,0035 Ом 0,005 Ом 52 FETBench FDS6064N7 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 20 В 23 А 3 мОм 0,0035 Ом 0,004 Ом 0,006 Ом 70 FETBench NDB6020P P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный TO-263(D2PAK) 20 В 24 А 50 мОм 0,05 Ом 0,075 Ом 25 FETBench NDP6020P -20В P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный TO-220 20 В 24 А 50 мОм 0,05 Ом 0,075 Ом 25 FETBench FDB6021P 20В P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 20 В 28 А 30 мОм 0,03 Ом 0,04 Ом 0,065 Ом 20 FETBench FDD8580 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 20 В 35 А 9 мОм 0,009 Ом 0,013 Ом 19 FETBench FDD8586 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 20 В 35 А 5 мОм 0,0055 Ом 0,0085 Ом 34 FETBench FDU8586 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 20 В 35 А 5 мОм 0,0055 Ом 0,0085 Ом 34 FETBench FDU8580 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 20 В 35 А 9 мОм 0,009 Ом 0,013 Ом 19 FETBench FDD6512A 20В N-канальный PowerTrench MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 20 В 36 А 21 мОм 0,021 Ом 0,031 Ом 12 FETBench FDU6512A 20В N-канальный PwoerTrench MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 20 В 36 А 21 мОм 0,021 Ом 0,031 Ом 12 FETBench FDD3706 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 20 В 50 А 9 мОм 0,009 Ом 0,011 Ом 0,016 Ом 16 FETBench FDV302P цифровой FET,P-канальный P Одиночный SOT-23 25 В 0,12 А 10000 мОм 10 Ом 13 Ом 0,22 FETBench FDC6302P цифровой FET, Сдвоенный P-канальный P Сдвоенный SSOT-6 25 В 0,12 А 13000 мОм 10 Ом 13 Ом 0,22 FETBench FDG6302P Сдвоенный P-канальный цифровой FET P Сдвоенный SC70-6 25 В 0,14 А 10000 мОм 10 Ом 13 Ом 0,22 FETBench FDC6320C Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET N P Комплементарная пара SSOT-6 25 В 0,22 А 5000 мОм 5 Ом 0,29 FETBench FDV301N N-канальный,цифровой FET N Одиночный SOT-23 25 В 0,22 А 4000 мОм 4 Ом 5 Ом 0,49 FETBench FDG6301N Сдвоенный N-канальный цифровой FET N Сдвоенный SC70-6 25 В 0,22 А 4000 мОм 4 Ом 5 Ом 0,29 FETBench FDC6301N Сдвоенный N-канальный, цифровой FET N Сдвоенный SSOT-6 25 В 0,22 А 4000 мОм 4 Ом 5 Ом 0,49 FETBench FDG6322C Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET N P Комплементарная пара SC70-6 25 В 0,22 А 4000 мОм 4 Ом 5 Ом 1,1 FETBench FDG6320C Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET N P Комплементарная пара SC70-6 25 В 0,22 А 4000 мОм 4 Ом 5 Ом 0,29 FETBench FDC6322C Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET N, P Комплементарная пара SSOT-6 25 В 0,22 А 5000 мОм 5 Ом 0,49 FETBench FDG6304P Сдвоенный P-канальный цифровой FET P Сдвоенный SC70-6 25 В 0,41 А 1100 мОм 1,1 Ом 1,5 Ом 1,1 FETBench FDC6304P цифровой FET, Сдвоенный P-канальный P Сдвоенный SSOT-6 25 В 0,46 А 1500 мОм 1,1 Ом 1,5 Ом 1,1 FETBench FDV304P P-канальный цифровой FET P Одиночный SOT-23 25 В 0,46 А 1100 мОм 1,1 Ом 1,5 Ом 1,1 FETBench FDG6321C Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET N P Комплементарная пара SC70-6 25 В 0,5 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDG6303N Сдвоенный N-канальный цифровой FET N Сдвоенный SC70-6 25 В 0,5 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDG6313N 25В Сдвоенный N-канальный, цифровой FET N Сдвоенный SC70-6 25 В 0,5 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDG314P цифровой FET - P-канальный P Одиночный SC70-6 25 В 0,65 А 1100 мОм 1,1 Ом 1,5 Ом 1,1 FETBench FDV303N цифровой FET, N-канальный N Одиночный SOT-23 25 В 0,68 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDC6303N цифровой FET, Сдвоенный N-канальный N Сдвоенный SSOT-6 25 В 0,68 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDC6321C Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET N P Комплементарная пара SSOT-6 25 В 0,68 А 450 мОм 0,45 Ом 1,64 FETBench FDG313N цифровой FET, N-канальный N Одиночный SC70-6 25 В 0,95 А 450 мОм 0,45 Ом 0,6 Ом 1,64 FETBench FDD8750 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 2,7 А 40 мОм 0,04 Ом 0,06 Ом 6 FETBench FDD8780 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 35 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,012 Ом 11,2 FETBench FDD8796 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 35 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,008 Ом 19 FETBench FDD8770 25В N-канальный PowerTrench®: MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 35 А 4 мОм 0,004 Ом 0,0055 Ом 29 FETBench FDD8782 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 35 А 11 мОм 0,011 Ом 0,014 Ом 9,4 FETBench FDD8778 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 25 В 35 А 14 мОм 0,014 Ом 0,021 Ом 6,7 FETBench FDU8796 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 25 В 35 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,08 Ом 19 FETBench FDU8780 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 25 В 35 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,012 Ом 11,2 FETBench FDU8778 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 25 В 35 А 14 мОм 0,014 Ом 0,021 Ом 6,7 FETBench FDU8782 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 25 В 35 А 11 мОм 0,011 Ом 0,014 Ом 9,4 FETBench FDU8770 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 25 В 35 А 4 мОм 0,004 Ом 0,0055 Ом 29 FETBench FDS8813NZ 30 Volt N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 0,005 А 10000 мОм 28 FETBench FDG8850NZ 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SC70-6 30 В 0,75 А 400 мОм 0,4 Ом 0,5 Ом 1,03 FETBench FDG8842CZ Q1:30V/Q2: -25В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SC70-6 30 В 0,75 А 400 мОм 0,4 Ом 0,5 Ом 1,03 FETBench FDN352AP -30В Одиночный P-канальный, Trench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,3 А 180 мОм 0,18 Ом 0,3 Ом 1,4 FETBench FDN361BN 30В N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,4 А 110 мОм 0,11 Ом 0,16 Ом 1,3 FETBench NDS351AN N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,4 А 160 мОм 0,16 Ом 0,25 Ом 1,3 FETBench FDN358P Одиночный P-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,5 А 125 мОм 0,125 Ом 0,2 Ом 4 FETBench FDG316P P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SC70-6 30 В 1,6 А 190 мОм 0,19 Ом 0,3 Ом 3,5 FETBench NDS355AN N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,7 А 85 мОм 0,085 Ом 0,125 Ом 3,5 FETBench FDC6506P Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SSOT-6 30 В 1,8 А 170 мОм 0,17 Ом 0,28 Ом 2,3 FETBench FDN357N N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 1,9 А 60 мОм 0,06 Ом 0,09 Ом 4,2 FETBench FDN360P Одиночный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 2 А 80 мОм 0,08 Ом 0,125 Ом 6,2 FETBench FDG315N N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC70-6 30 В 2 А 120 мОм 0,12 Ом 0,16 Ом 2,1 FETBench FDN337N N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 2,2 А 65 мОм 0,065 Ом 0,082 Ом 7 FETBench NDC652P P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SSOT-6 30 В 2,4 А 180 мОм 0,11 Ом 0,18 Ом 10,5 FETBench FDC6432SH 12В P-канальный PowerTrench® MOSFET, 30В PowerTrench® SyncFET N, P Комплементарная пара SSOT-6 30 В 2,4 А 90 мОм 0,09 Ом 0,09 Ом 0,125 Ом 2,5 FETBench FDC6561AN Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SSOT-6 30 В 2,5 А 95 мОм 0,095 Ом 0,145 Ом 2,1 FETBench FDC6333C 30В N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SSOT-6 30 В 2,5 А 95 мОм 0,095 Ом 0,15 Ом 4,7 FETBench FDN372S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET N SyncFET SOT-23/SuperSOT-3 30 В 2,6 А 40 мОм 0,04 Ом 0,05 Ом 5,8 FETBench FDN359BN 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 30 В 2,7 А 46 мОм 0,046 Ом 0,06 Ом 5 FETBench FDMA2002NZ 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный MicroFET 30 В 2,9 А 123 мОм 0,123 Ом 0,163 Ом 2,4 FETBench FDS9953A Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 2,9 А 130 мОм 0,13 Ом 0,2 Ом 2,5 FETBench FDR8508P Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SSOT-8 30 В 3 А 50 мОм 0,05 Ом 0,075 Ом 8 FETBench NDC651N N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SSOT-6 30 В 3,2 А 60 мОм 0,06 Ом 0,09 Ом 10 FETBench FDT458P 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SOT-223 30 В 3,4 А 130 мОм 0,13 Ом 0,2 Ом 2,5 FETBench FDS9400A 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 3,4 А 130 мОм 0,13 Ом 0,2 Ом 2,4 FETBench FDS6961A Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 3,5 А 90 мОм 0,09 Ом 0,14 Ом 2,1 FETBench FDC654P P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SSOT-6 30 В 3,6 А 75 мОм 0,075 Ом 0,125 Ом 6,2 FETBench SI4532DY Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N P Комплементарная пара SO-8 30 В 3,9 А 65 мОм 0,065 Ом 0,095 Ом 3,7 FETBench FDC658AP -30В Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 30 В 4 А 50 мОм 0,05 Ом 0,075 Ом 6 FETBench FDS8947A Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Сдвоенный SO-8 30 В 4 А 52 мОм 0,052 Ом 0,08 Ом 19 FETBench FDS8333C 30В N и P-канальный PowerTrench ® MOSFET N, P Комплементарная пара SO-8 30 В 4,1 А 80 мОм 0,08 Ом 0,13 Ом 4,7 FETBench FDMB3800N 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный MicroFET 30 В 4,8 А 40 мОм 0,04 Ом 0,051 Ом 4 FETBench FDMA430NZ 30В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench. ®MOSFET N Одиночный MicroFET 30 В 5 А 40 мОм 0,04 Ом 7,3 FETBench FDT457N N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-223 30 В 5 А 60 мОм 0,06 Ом 0,09 Ом 4,2 FETBench FDC653N N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SSOT-6 30 В 5 А 35 мОм 0,035 Ом 0,055 Ом 12 FETBench NDT452AP P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-223 30 В 5 А 65 мОм 0,065 Ом 0,1 Ом 22 FETBench FDS4953 Сдвоенный30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 5 А 55 мОм 0,055 Ом 0,095 Ом 6 FETBench FDC633N 30В N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SSOT-6 30 В 5,2 А 42 мОм 0,042 Ом 0,054 Ом 11 FETBench FDS9435A 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 5,3 А 50 мОм 0,05 Ом 0,08 Ом 10 FETBench FDS6984AS 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 5,5 А 31 мОм 0,031 Ом 0,04 Ом 4 FETBench FDS6930B 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 5,5 А 38 мОм 0,038 Ом 0,05 Ом 2,7 FETBench FDS8928A Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N P Комплементарная пара SO-8 30 В 5,5 А 30 мОм 0,03 Ом 0,038 Ом 19,8 FETBench FDS8926A Сдвоенный N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Сдвоенный SO-8 30 В 5,5 А 30 мОм 0,03 Ом 0,038 Ом 19,8 FETBench NDT454P P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-223 30 В 5,9 А 50 мОм 0,05 Ом 0,09 Ом 29 FETBench FDS6975 Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 6 А 32 мОм 0,032 Ом 0,045 Ом 14,5 FETBench FDC655BN 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 30 В 6,3 А 25 мОм 0,025 Ом 0,033 Ом 6 FETBench FDS6982AS 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFet™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 6,3 А 28 мОм 0,028 Ом 0,035 Ом 6 FETBench FDT439N N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи), МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-223 30 В 6,3 А 45 мОм 0,045 Ом 0,058 Ом 10,7 FETBench FDS6986AS 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 6,5 А 20 мОм 0,02 Ом 0,028 Ом 6,5 FETBench FDS6630A N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 6,5 А 38 мОм 0,038 Ом 0,053 Ом 5 FETBench FDT459N N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-223 30 В 6,5 А 35 мОм 0,035 Ом 0,055 Ом 12 FETBench FDMA530PZ -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный MicroFET 30 В 6,8 А 35 мОм 0,035 Ом 0,065 Ом 16 FETBench FDS4935BZ -30В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 6,9 А 22 мОм 0,022 Ом 0,035 Ом 29 FETBench FDS6900AS 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 6,9 А 27 мОм 0,027 Ом 0,034 Ом 6,1 FETBench FDS6994S Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 6,9 А 21 мОм 0,021 Ом 0,026 Ом 8 FETBench FDS8984 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 7 А 23 мОм 0,023 Ом 0,03 Ом 5 FETBench FDS8962C 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 30 В 7 А 30 мОм 0,03 Ом 0,044 Ом 10,7 FETBench FDS8958 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 30 В 7 А 28 мОм 0,028 Ом 0,04 Ом 16 FETBench FDS4935A Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 7 А 23 мОм 0,023 Ом 0,035 Ом 15 FETBench FDS8958A Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 30 В 7 А 28 мОм 0,028 Ом 0,04 Ом 10,7 FETBench FDS4935 Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 30 В 7 А 23 мОм 0,023 Ом 0,035 Ом 15 FETBench NDT451AN N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-223 30 В 7,2 А 35 мОм 0,035 Ом 0,05 Ом 19 FETBench FDS8978 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 7,5 А 18 мОм 0,018 Ом 0,021 Ом 9 FETBench FDS6910 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 7,5 А 13 мОм 0,013 Ом 0,017 Ом 9 FETBench FDS6990AS 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный SyncFET SO-8 30 В 7,5 А 22 мОм 0,022 Ом 0,028 Ом 10 FETBench NDT456P P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-223 30 В 7,5 А 30 мОм 0,03 Ом 0,045 Ом 47 FETBench FDW256P 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TSSOP-8 30 В 8 А 13 мОм 0,0135 Ом 0,02 Ом 28 FETBench FDS9412A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 8 А 21 мОм 0,021 Ом 0,025 Ом 14 FETBench FDR858P Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-8 30 В 8 А 19 мОм 0,019 Ом 0,028 Ом 21 FETBench FDM2452NZ 30В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Однокристальный с общим стоком MLP 2x5 6L 30 В 8,1 А 21 мОм 0,021 Ом 14 FETBench FDW2601NZ 30В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Common Drain TSSOP-8 30 В 8,2 А 15 мОм 0,015 Ом 20 FETBench FDS8884 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 8,5 А 23 мОм 0,023 Ом 0,03 Ом 5 FETBench FDS6984S Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFet™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-8 30 В 8,5 А 19 мОм 0,019 Ом 0,028 Ом 11 FETBench FDS8858CZ 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 30 В 8,6 А 17 мОм 0,017 Ом 0,02 Ом 17 FETBench FDS6982 Сдвоенный N-канальный, для источников питания ноутбуков, MOSFET N Сдвоенный SO-8 30 В 8,6 А 15 мОм 0,015 Ом 0,02 Ом 18,5 FETBench FDS4435BZ 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 8,8 А 20 мОм 0,02 Ом 0,035 Ом 16,5 FETBench FDS6692A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 9 А 11 мОм 0,0115 Ом 0,0145 Ом 22 FETBench FDD6632 30В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 9 А 70 мОм 0,07 Ом 0,11 Ом 2,6 FETBench FDS4501H Комплементарная пара PowerTrench® Half-Bridge MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 30 В 9,3 А 18 мОм 0,018 Ом 0,046 Ом 0,063 Ом 17 FETBench FDS6690AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 10 А 12 мОм 0,012 Ом 0,015 Ом 16 FETBench FDS4410A 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 10 А 13 мОм 0,0135 Ом 0,02 Ом 12 FETBench FDS8878 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 10,2 А 14 мОм 0,014 Ом 0,017 Ом 9 FETBench FDS6675BZ -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 11 А 13 мОм 0,013 Ом 0,0218 Ом 25 FETBench FDQ7238AS 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench ® в SO-14 корпусе N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) SO-14 30 В 11 А 13 мОм 0,0132 Ом 0,016 Ом 9 FETBench FDS6690A Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, Power Trench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 11 А 12 мОм 0,0125 Ом 0,017 Ом 12 FETBench FDR4420A Одиночный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-8 30 В 11 А 9 мОм 0,009 Ом 0,013 Ом 23 FETBench FDM6296 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET N Одиночный Power 33 30 В 11,5 А 10 мОм 0,0105 Ом 0,015 Ом 12 FETBench FDS6680AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 11,5 А 8 мОм 0,008 Ом 0,0011 Ом 22 FETBench FDR6674A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-8 30 В 11,5 А 9 мОм 0,0085 Ом 0,0095 Ом 33 FETBench FDS8880 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 11,6 А 10 мОм 0,01 Ом 0,012 Ом 12 FETBench FDC796N 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 30 В 12,5 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 14 FETBench FDS8876 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 12,5 А 8 мОм 0,0082 Ом 0,0102 Ом 15 FETBench FDZ208P P-канальный 30В PowerTrench® BGA MOSFET P Одиночный BGA 30 В 12,5 А 10 мОм 0,0105 Ом 0,0165 Ом 25 FETBench FDS6680A 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, Power Trench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 12,5 А 9 мОм 0,0095 Ом 0,013 Ом 16 FETBench FDS6298 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 13 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 10 FETBench FDS6679AZ -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 13 А 9 мОм 0,0093 Ом 0,0148 Ом 38 FETBench FDS6294 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 13 А 11 мОм 0,0113 Ом 0,0144 Ом 10 FETBench FDS6670A Одиночный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 13 А 8 мОм 0,008 Ом 0,01 Ом 21 FETBench FDS6670AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 13,5 А 9 мОм 0,009 Ом 0,0115 Ом 27 FETBench FDS7764S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 13,5 А 7 мОм 0,0075 Ом 0,009 Ом 25 FETBench FDS8690 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 14 А 7 мОм 0,0076 Ом 0,0114 Ом 10 FETBench FDS6682 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 14 А 7 мОм 0,0075 Ом 0,009 Ом 22 FETBench FDS6676AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 14,5 А 6 мОм 0,006 Ом 0,0073 Ом 25 FETBench FDS6673BZ -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 14,5 А 7 мОм 0,0078 Ом 0,012 Ом 46 FETBench FDMC8854 30В N-канальный Power Trench® MOSFET N Одиночный Power 33 30 В 15 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0076 Ом 41 FETBench FDS8896 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 16 А 6 мОм 0,006 Ом 0,0073 Ом 28 FETBench FDS8874 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 16 А 5 мОм 0,0055 Ом 0,007 Ом 30 FETBench FDMS9620S 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный Power 56 30 В 16 А 21 мОм 0,0215 Ом 0,0295 Ом 10 FETBench FDS6688 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 16 А 6 мОм 0,006 Ом 0,007 Ом 40 FETBench FDS6688S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 16 А 6 мОм 0,006 Ом 0,0075 Ом 56 FETBench FDMC8878 30В N-канальный Power Trench® MOSFET N Одиночный Power 33 30 В 16,5 А 14 мОм 0,014 Ом 0,017 Ом 18 FETBench FDS8870 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 18 А 4 мОм 0,0042 Ом 0,0049 Ом 45 FETBench FDS6689S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 18,5 А 5 мОм 0,0054 Ом 0,0065 Ом 31 FETBench FDS6681Z 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 30 В 20 А 4 мОм 0,0046 Ом 0,0065 Ом 105 FETBench FDS8812NZ 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 20 А 4 мОм 0,004 Ом 0,049 Ом 49 FETBench FDS8817NZ 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 20 А 7 мОм 0,007 Ом 0,01 Ом 17 FETBench FDS7288N3 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 30 В 20,5 А 4 мОм 0,0045 Ом 0,0056 Ом 26 FETBench FDS6299S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 21 А 3 мОм 0,0039 Ом 0,0051 Ом 31 FETBench FDS6699S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET SO-8 30 В 21 А 3 мОм 0,0036 Ом 0,0045 Ом 35 FETBench FDS8670 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 30 В 21 А 3 мОм 0,0037 Ом 0,005 Ом 30 FETBench FDD6630A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 21 А 35 мОм 0,035 Ом 0,05 Ом 5 FETBench FDS7088N3 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 30 В 21 А 4 мОм 0,004 Ом 0,0055 Ом 37 FETBench FDMS8660S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET Power 56 30 В 25 А 2 мОм 0,0024 Ом 0,0035 Ом 44 FETBench FDMS8690 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 30 В 27 А 9 мОм 0,009 Ом 0,0125 Ом 10 FETBench FDD6612A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 30 А 20 мОм 0,02 Ом 0,028 Ом 6,7 FETBench NDP6030PL P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный TO-220 30 В 30 А 42 мОм 0,025 Ом 0,042 Ом 26 FETBench FDU6612A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 30 А 20 мОм 0,02 Ом 0,028 Ом 6,7 FETBench FDMS8672S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET Power 56 30 В 35 А 5 мОм 0,005 Ом 0,007 Ом 16 FETBench FDD068AN03L N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 35 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0068 Ом 24 FETBench FDP8878 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 40 А 15 мОм 0,015 Ом 0,019 Ом 17,1 FETBench FDD6685 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 40 А 20 мОм 0,02 Ом 0,03 Ом 17 FETBench FDD8878 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 40 А 15 мОм 0,015 Ом 0,0185 Ом 10 FETBench FDB6030BL N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 40 А 18 мОм 0,018 Ом 0,024 Ом 12 FETBench FDP6030BL N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 40 А 18 мОм 0,018 Ом 0,024 Ом 12 FETBench FDU8878 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 40 А 15 мОм 0,015 Ом 0,0185 Ом 10 FETBench FDMS8670S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET Power 56 30 В 42 А 3 мОм 0,0035 Ом 0,005 Ом 24 FETBench FDB6690S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-263(D2PAK) 30 В 42 А 15 мОм 0,0155 Ом 0,023 Ом 11 FETBench FDB8878 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 48 А 14 мОм 0,014 Ом 0,018 Ом 17,1 FETBench FDD6296 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 50 А 8 мОм 0,0088 Ом 0,0113 Ом 22,5 FETBench FDB8880 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 54 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,0145 Ом 22 FETBench FDP8880 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 54 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,0145 Ом 26 FETBench FDD8882 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 55 А 11 мОм 0,0115 Ом 0,015 Ом 11,7 FETBench FDD6680AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-252(DPAK) 30 В 55 А 10 мОм 0,0105 Ом 0,013 Ом 11 FETBench FDU8882 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 55 А 11 мОм 0,0115 Ом 0,015 Ом 11,7 FETBench FDD8880 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 58 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 13 FETBench FDU8880 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 58 А 10 мОм 0,01 Ом 0,013 Ом 13 FETBench FDB7030BL N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 60 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 17 FETBench FDP7030BL N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 60 А 9 мОм 0,009 Ом 0,012 Ом 17 FETBench FDB6670AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-263(D2PAK) 30 В 62 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,0105 Ом 28 FETBench FDD6672A 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 65 А 8 мОм 0,008 Ом 0,0095 Ом 33 FETBench FDD6670A 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 66 А 8 мОм 0,008 Ом 0,01 Ом 16 FETBench FDP8876 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 70 А 8 мОм 0,0087 Ом 0,0105 Ом 32 FETBench FDB8876 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 71 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,0103 Ом 32 FETBench FDD8876 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 73 А 8 мОм 0,0082 Ом 0,01 Ом 18 FETBench ISL9N303AS3 Одиночный Commercial N-канальный PowerTrench MOSFET, 30V, 75A, 0.0032 Ом @ В Uзи= 10V, TO-262/I2PAK корпусе N Одиночный TO-262(I2PAK) 30 В 75 А 3 мОм 0,0032 Ом 0,005 Ом 61 FETBench ISL9N302AS3ST N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, UltraFET® Trench Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 75 А 2 мОм 0,0025 Ом 0,0033 Ом 200 FETBench ISL9N302AP3 N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, UltraFET® Trench Power MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 75 А 2 мОм 0,0025 Ом 0,0033 Ом 110 FETBench ISL9N303AP3 N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 75 А 3 мОм 0,0032 Ом 0,005 Ом 61 FETBench ISL9N303AS3ST N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 75 А 3 мОм 0,0032 Ом 0,005 Ом 151 FETBench FDD6670AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-252(DPAK) 30 В 76 А 8 мОм 0,008 Ом 0,0104 Ом 29 FETBench FDU6670AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-251(IPAK) 30 В 76 А 8 мОм 0,008 Ом 0,0104 Ом 29 FETBench FDP8860 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 80 А 2 мОм 0,0025 Ом 0,0029 Ом 81 FETBench FDB8860 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 80 А 2 мОм 0,0023 Ом 0,0027 Ом 165 FETBench FDB8832 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 80 А 1 мОм 0,0019 Ом 0,0022 Ом 100 FETBench FDB8030L N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 80 А 3 мОм 0,0035 Ом 0,0045 Ом 120 FETBench FDP8030L N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 80 А 3 мОм 0,0035 Ом 0,0045 Ом 120 FETBench FDD6670AL 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 84 А 5 мОм 0,005 Ом 0,006 Ом 37 FETBench FDD6688 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 84 А 5 мОм 0,005 Ом 0,006 Ом 37 FETBench FDD6688S 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N SyncFET TO-252(DPAK) 30 В 88 А 5 мОм 0,0051 Ом 0,0063 Ом 31 FETBench FDD6676AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 90 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0071 Ом 25 FETBench FDU6676AS 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ N Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) TO-251(IPAK) 30 В 90 А 5 мОм 0,0058 Ом 0,0073 Ом 25 FETBench FDP8896 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 92 А 5 мОм 0,0059 Ом 0,007 Ом 25 FETBench FDB8896 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 93 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0068 Ом 48 FETBench FDD8896 30В N-канальный PowerTrench®MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 94 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0068 Ом 24 FETBench FDU8896 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 94 А 5 мОм 0,0057 Ом 0,0068 Ом 24 FETBench FDP8874 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 114 А 5 мОм 0,0053 Ом 0,0066 Ом 56 FETBench FDD8874 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 116 А 5 мОм 0,0051 Ом 0,0064 Ом 29 FETBench FDU8874 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 30 В 116 А 5 мОм 0,0051 Ом 0,0064 Ом 29 FETBench FDB8874 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 121 А 4 мОм 0,0047 Ом 0,006 Ом 56 FETBench FDP8870 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 30 В 156 А 4 мОм 0,0041 Ом 0,0046 Ом 106 FETBench FDD8870 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 30 В 160 А 3 мОм 0,0039 Ом 0,0044 Ом 48 FETBench FDB8870 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 30 В 160 А 3 мОм 0,0039 Ом 0,0044 Ом 106 FETBench FDS8960C 35В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 35 В 7 А 24 мОм 0,024 Ом 0,032 Ом 5,5 FETBench FDD6637 -35В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 35 В 55 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,018 Ом 45 FETBench FDD6635 35В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 35 В 59 А 10 мОм 0,01 Ом 0,013 Ом 13 FETBench FDS4895C 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 40 В 5,5 А 39 мОм 0,039 Ом 0,063 Ом 7 FETBench FDS8949 40В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 40 В 6 А 29 мОм 0,029 Ом 0,036 Ом 7,7 FETBench FDS4897C 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 40 В 6,2 А 29 мОм 0,029 Ом 0,036 Ом 14 FETBench FDD4243 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 6,7 А 44 мОм 0,044 Ом 0,064 Ом 21 FETBench FDS4885C 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 40 В 7,5 А 22 мОм 0,022 Ом 15 FETBench FDS8449 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 7,6 А 29 мОм 0,029 Ом 0,036 Ом 2,4 FETBench FDS4685 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 40 В 8,2 А 27 мОм 0,027 Ом 0,035 Ом 19 FETBench FDS4480 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 10,8 А 12 мОм 0,012 Ом 29 FETBench FDS4675 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный SO-8 40 В 11 А 13 мОм 0,013 Ом 0,017 Ом 40 FETBench FDS4672A 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 11 А 13 мОм 0,013 Ом 35 FETBench FDS4072N7 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 12,4 А 11 мОм 0,009 Ом 0,011 Ом 33 FETBench FDS4072N3 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 12,4 А 12 мОм 0,01 Ом 0,012 Ом 33 FETBench FDS4470 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 12,5 А 9 мОм 0,009 Ом 45 FETBench FDS8447 40В Одиночный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 12,8 А 10 мОм 0,0105 Ом 0,0123 Ом 19 FETBench FDS4080N3 40В N-канальный FLMP PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 13 А 10 мОм 0,0105 Ом 30 FETBench FDS4080N7 40В N-канальный FLMP™ PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 13 А 10 мОм 0,01 Ом 30 FETBench FDS4770 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 40 В 13,2 А 7 мОм 0,0075 Ом 47 FETBench FDS4070N3 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 15,3 А 7 мОм 0,0075 Ом 47 FETBench FDS4070N7 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 40 В 15,3 А 7 мОм 0,007 Ом 47 FETBench FDD8424H 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара TO-252 DPAK 40 В 20 А 24 мОм 0,024 Ом 0,03 Ом 14 FETBench FDD8451 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 28 А 24 мОм 0,024 Ом 0,03 Ом 14 FETBench FDD4685 -40В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 32 А 27 мОм 0,027 Ом 0,035 Ом 19 FETBench FDD8444L 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 50 А 5 мОм 0,0052 Ом 0,0065 Ом 46 FETBench FDB8447L 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 40 В 50 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,011 Ом 20 FETBench FDD8447L 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 54 А 8 мОм 0,0085 Ом 0,011 Ом 37 FETBench FDD8445 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 70 А 8 мОм 0,0087 Ом 45 FETBench FDB8444 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 40 В 70 А 5 мОм 0,0055 Ом 91 FETBench FDB8445 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 40 В 70 А 17 мОм 0,0172 Ом 44 FETBench FDB8441 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 40 В 80 А 2 мОм 0,0025 Ом 125 FETBench FDP8441 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 40 В 80 А 2 мОм 0,0027 Ом 215 FETBench FDB8442 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 40 В 80 А 2 мОм 0,0029 Ом 181 FETBench FDD8444 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 40 В 145 А 5 мОм 0,0052 Ом 89 FETBench BSS84 P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-23 50 В 0,13 А 10000 мОм 10 Ом 0,9 FETBench BSS138 50В N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23 50 В 0,22 А 3500 мОм 3,5 Ом 6 Ом 1,7 FETBench NDC7002N Сдвоенный N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Сдвоенный SSOT-6 50 В 0,51 А 2000 мОм 2 Ом 1 FETBench SSD2007A 50В N-канальный Сдвоенный Power MOSFET N Сдвоенный SO-8 50 В 2 А 300 мОм 0,3 Ом 0,5 Ом 11,5 FETBench FDS5692Z 50В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный SO-8 50 В 5,8 А 24 мОм 0,024 Ом 0,033 Ом 18 FETBench RFD14N05LSM 14A, 50V, 0,100 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 50 В 14 А 100 мОм 0,1 Ом 31 FETBench RFD14N05SM9A 14A, 50V, 0,100 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 50 В 14 А 100 мОм 0,1 Ом 40 FETBench RFD14N05 14A, 50V, 0,100 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 50 В 14 А 100 мОм 0,1 Ом 19 FETBench RFD16N05SM 16A, 50V, 0,047 Ом, N-канальный Power, MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 50 В 16 А 47 мОм 0,047 Ом 35 FETBench RFD16N05LSM 16A, 50V, 0 ,047 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 50 В 16 А 47 мОм 0,047 Ом 61 FETBench RFD16N05 16A, 50V, 0.047 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 50 В 16 А 47 мОм 0,047 Ом 35 FETBench HUF75229P3 44A, 50V, 0,022 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 50 В 44 А 22 мОм 0,022 Ом 35 FETBench RFP50N05L 50A, 50V, 0.022 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-220 50 В 50 А 22 мОм 0,022 Ом 140 FETBench NDP7050L N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-220 50 В 75 А 15 мОм 0,015 Ом 86 FETBench HUF75307T3ST 2,6A, 55V, 0,090 Ом, N-канальный UltraFET PowerMOSFET N Одиночный SOT-223 55 В 2,6 А 90 мОм 0,09 Ом 8,3 FETBench HUFA75307T3ST 2,6A, 55V, 0,090 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный SOT-223 55 В 2,6 А 90 мОм 0,09 Ом 14 FETBench HUFA75309T3ST 3A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный SOT-223 55 В 3 А 70 мОм 0,07 Ом 10,7 FETBench HUF75307D3ST 15A, 55V, 0.099 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 15 А 90 мОм 0,09 Ом 9 FETBench HUF75307D3 15A, 55V, 0.099 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 55 В 15 А 90 мОм 0,09 Ом 9 FETBench HUFA75307D3S 15A, 55V, 0.090 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 15 А 90 мОм 0,09 Ом 9 FETBench HUF75309D3S 19A, 55V, 0,070 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 19 А 70 мОм 0,07 Ом 11 FETBench HUF75309P3 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 19 А 70 мОм 0,07 Ом 11 FETBench HUFA75309P3 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 19 А 70 мОм 0,07 Ом 11 FETBench HUFA75309D3S 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 19 А 70 мОм 0,07 Ом 11 FETBench HUF75321D3S 20A, 55V, 0,036 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 20 А 36 мОм 0,036 Ом 21 FETBench HUF75329D3S 20A, 55V, 0.026 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 20 А 26 мОм 0,026 Ом 50 FETBench HUF75321D3 20A, 55V, 0.036 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 55 В 20 А 36 мОм 0,036 Ом 21 FETBench HUFA75321D3S 20A, 55V, 0.036 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 55 В 20 А 36 мОм 0,036 Ом 21 FETBench HUF75321P3 35A, 55V, 0,034 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 35 А 34 мОм 0,034 Ом 21 FETBench HUF75321S3S 35A, 55V, 0.034 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 35 А 34 мОм 0,034 Ом 21 FETBench HUF75329P3 49A, 55V, 0.024 ОмR N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 49 А 26 мОм 0,026 Ом 35 FETBench HUFA75329S3S Одиночный Auto N-канальный UltraFET Power MOSFET, 55V, 49A, 0.024 Ом @ В Uзи= 10В TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 49 А 24 мОм 0,024 Ом 35 FETBench HUF75329S3S 49A, 55V, 0.024 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 49 А 24 мОм 0,024 Ом 35 FETBench HUF75332P3 60A, 55V,0,019 Ом, N-канальный UltraFET P ower MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 60 А 19 мОм 0,019 Ом 40 FETBench HUFA75332S3S Одиночный Auto N-канальный UltraFET Power MOSFET, 55V, 60A, 0,019 Ом @ В Uзи= 10V, T0263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 60 А 19 мОм 0,019 Ом 40 FETBench HUF75332S3S 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 60 А 19 мОм 0,019 Ом 40 FETBench HUF75333P3 66A, 55V, N Одиночный TO-220 55 В 66 А 16 мОм 0,016 Ом 40 FETBench HUF75333S3S 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 66 А 16 мОм 0,016 Ом 40 FETBench HUF75333S3 66A, 55V, 0.016 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 55 В 66 А 16 мОм 0,016 Ом 40 FETBench HUF75339P3 75A, 55V, 0,012 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 12 мОм 0,012 Ом 60 FETBench HUF75345P3 75A, 55V, 0 ,007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUF75344G3 75A,55V,0 ,008 ОмR N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUF75343P3 75A, 55V, 0,009 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 9 мОм 0,009 Ом 92 FETBench HUFA75337S3S 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 51 FETBench HUFA75344S3 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUF75344P3 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUF75337P3 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 51 FETBench HUF75345G3 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUF75345S3S 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUF75337S3S 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 51 FETBench HUF75339G3 75A, 55V, 0.012 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 55 В 75 А 12 мОм 0,012 Ом 60 FETBench HUF75345S3 75A,; 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUFA75345P3 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUFA75343S3S 75A, 55V, 0.009 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 9 мОм 0,009 Ом 92 FETBench HUFA75339S3S 75A, 55V, 0.012 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 12 мОм 0,012 Ом 60 FETBench HUF75344S3S 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUFA75344G3 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUFA75344S3S 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 55 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 90 FETBench HUFA75345G3 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 55 В 75 А 7 мОм 0,007 Ом 125 FETBench HUFA75343P3 75A, 55V, 0.009 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 55 В 75 А 9 мОм 0,009 Ом 92 FETBench 2N7002MTF 60В N-канальный малосигнальный MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 60 В 0,115 А 5000 мОм 5 Ом FETBench 2N7002 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23 60 В 0,12 А 7500 мОм 7,5 Ом 7,5 Ом 1,7 FETBench NDS0610 P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-23 60 В 0,12 А 10000 мОм 10 Ом 20 Ом 1,8 FETBench NDS0605 P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-23 60 В 0,18 А 5000 мОм 5 Ом 1,8 FETBench 2N7000TA 60В N-канальный малосигнальный MOSFET N Одиночный TO-92 60 В 0,2 А 5000 мОм 5 Ом FETBench 2N7000 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-92 60 В 0,2 А 5000 мОм 5 Ом 5,3 Ом 1,7 FETBench 2N7000BU 60В N-канальный малосигнальный MOSFET N Одиночный TO-92 60 В 0,2 А 5000 мОм 5 Ом FETBench NDS7002A N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23 60 В 0,28 А 2000 мОм 2 Ом 3 Ом 1,7 FETBench NDC7003P Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Сдвоенный SSOT-6 60 В 0,34 А 5000 мОм 5 Ом 7 Ом 1,6 FETBench BS270 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-92 60 В 0,4 А 2000 мОм 2 Ом FETBench MMBF170 N - Channel, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23 60 В 0,5 А 5000 мОм 5 Ом 1,7 FETBench BS170 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-92 60 В 0,5 А 5000 мОм 5 Ом FETBench NDC7001C Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N P Комплементарная пара SSOT-6 60 В 0,51 А 2000 мОм 2 Ом 4 Ом 1,1 FETBench FDN5618P 60В P-канальный PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET P Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 60 В 1,2 А 170 мОм 0,17 Ом 0,23 Ом 8,6 FETBench FQS4900 Сдвоенный N-канальный 60В & P-канальный 300В QFET N, P Комплементарная пара SO-8 60 В 1,3 А 550 мОм 0,55 Ом 0,65 Ом 1,6 FETBench FDN5630 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-23/SuperSOT-3 60 В 1,7 А 100 мОм 0,1 Ом 7 FETBench NDS9948 Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET P Сдвоенный SO-8 60 В 2,3 А 250 мОм 0,25 Ом 0,5 Ом 9 FETBench NDT2955 P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения P Одиночный SOT-223 60 В 2,5 А 300 мОм 0,3 Ом 0,5 Ом 11 FETBench FQT13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный SOT-223 60 В 2,8 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBench FQT13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный SOT-223 60 В 2,8 А 140 мОм 0,14 Ом 5,8 FETBench FDC5614P 60В P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET P Одиночный SSOT-6 60 В 3 А 105 мОм 0,105 Ом 0,135 Ом 15 FETBench SSD2025 60В N-канальный Сдвоенный Power MOSFET N Сдвоенный SO-8 60 В 3,3 А 100 мОм 0,1 Ом 0,2 Ом 15 FETBench FDS9945 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 60 В 3,5 А 100 мОм 0,1 Ом 0,2 Ом 8 FETBench HUFA76407DK8T Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® PowerMOSFET N Сдвоенный SO-8 60 В 3,8 А 90 мОм 0,09 Ом 0,105 Ом 9,4 FETBench NDT3055 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-223 60 В 4 А 100 мОм 0,1 Ом 9 FETBench RFD4N06LSM 4A, 60V, 0.600 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 4 А 600 мОм 0,6 Ом 6 FETBench FDZ209N 60В N-канальный PowerTrench® BGA MOSFET N Одиночный BGA 60 В 4 А 80 мОм 0,08 Ом 6,3 FETBench FDC5612 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 60 В 4,3 А 55 мОм 0,055 Ом 12,5 FETBench FDS4559 60В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET N P Комплементарная пара SO-8 60 В 4,5 А 55 мОм 0,055 Ом 0,075 Ом 12,5 FETBench HUFA76413DK8 Одиночный Commercial Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET, 60V, 5,1A, 0.049 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Сдвоенный SO-8 60 В 4,8 А 49 мОм 0,049 Ом 0,056 Ом 18 FETBench FQPF7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 60 В 5,3 А 410 мОм 0,41 Ом 6,3 FETBench FQD7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 5,4 А 450 мОм 0,45 Ом 6,3 FETBench FQU7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 5,4 А 450 мОм 0,45 Ом 6,3 FETBench FQP7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 60 В 6,7 А 410 мОм 0,41 Ом 6,3 FETBench FDS5690 N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 60 В 7 А 28 мОм 0,028 Ом 23 FETBench FQB7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 7 А 410 мОм 0,41 Ом 6,3 FETBench FQI7P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 7 А 410 мОм 0,41 Ом 6,3 FETBench FDS5682 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 60 В 7,5 А 21 мОм 0,021 Ом 0,0265 Ом 27 FETBench FDS5680 Одиночный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 60 В 8 А 20 мОм 0,02 Ом 30 FETBench FQPF11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 60 В 8,6 А 175 мОм 0,175 Ом 13 FETBench FQD11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 9,4 А 185 мОм 0,185 Ом 13 FETBench FQU11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 9,4 А 185 мОм 0,185 Ом 13 FETBench FQPF13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 9,4 А 135 мОм 0,135 Ом 5,8 FETBench FQPF13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 60 В 10 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBenc FDS5670 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 60 В 10 А 14 мОм 0,014 Ом 49 FETBench FQD13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 10 А 140 мОм 0,14 Ом 7,5 FETBench FQU13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 10 А 140 мОм 0,14 Ом 5,8 FETBench FDS5170N7 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 60 В 10,6 А 12 мОм 0,012 Ом 51 FETBench FDMS5672 60В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 60 В 10,6 А 11 мОм 0,0115 Ом 32 FETBench FDD107AN06LA0 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 10,9 А 91 мОм 0,091 Ом 0,107 Ом 4,2 FETBench FQA85N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 60 В 100 А 10 мОм 0,01 Ом 86 FETBench FQD13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 11 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBench FQU13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 11 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBench FQP11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 60 В 11,4 А 175 мОм 0,175 Ом 13 FETBench FQB11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 11,4 А 175 мОм 0,175 Ом 13 FETBench FQI11P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 11,4 А 175 мОм 0,175 Ом 13 FETBench RFP3055 12A, 60V, 0.150 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 12 А 150 мОм 0,15 Ом 10 FETBench FDS5672 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 60 В 12 А 10 мОм 0,01 Ом 34 FETBench FQU17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 12 А 135 мОм 0,135 Ом 21 FETBench FQD17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 12 А 135 мОм 0,135 Ом 21 FETBench RFD3055SM 12A, 60V, 0,150 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 12 А 150 мОм 0,15 Ом 10 FETBench HUF76407D3S 11A,60V, 0.107 Ом, N-Channe, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 12 А 92 мОм 0,092 Ом 0,107 Ом 9,4 FETBench FQPF17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 60 В 12 А 120 мОм 0,12 Ом 21 FETBench HUF76407D3 11A,60V, 0.107 Ом, N-Channe, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 12 А 92 мОм 0,092 Ом 0,107 Ом 9,4 FETBench MTP3055V 60В N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-220 60 В 12 А 150 мОм 0,15 Ом FETBench HUFA76407D3S 11A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 12 А 92 мОм 0,092 Ом 0,107 Ом 9,4 FETBench HUF76407P3 12A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, N Одиночный TO-220 60 В 13 А 92 мОм 0,092 Ом 0,107 Ом 9,4 FETBench FQP13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 60 В 13 А 135 мОм 0,135 Ом 5,8 FETBench HUFA76407P3 12A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 13 А 92 мОм 0,092 Ом 0,107 Ом 9,4 FETBench FQI13N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 13 А 135 мОм 0,135 Ом 5,8 FETBench FDMC5614P -60В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный Power 33 60 В 13,5 А 100 мОм 0,1 Ом 0,135 Ом 15 FETBench FQP13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 60 В 13,6 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBench FQB13N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 13,6 А 110 мОм 0,11 Ом 0,14 Ом 4,8 FETBench FDD5614P 60В P-канальный PowerTrench® MOSFET P Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 15 А 100 мОм 0,1 Ом 0,13 Ом 15 FETBench FQPF20N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 15 А 60 мОм 0,06 Ом 11,5 FETBench NDP4060L N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-220 60 В 15 А 100 мОм 0,08 Ом 0,1 Ом 11 FETBench FDP070AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mОм N Одиночный TO-220 60 В 15 А 7 мОм 0,007 Ом 51 FETBench FDB070AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mОм N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 15 А 7 мОм 0,007 Ом 51 FETBench FQPF20N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 60 В 15,7 А 55 мОм 0,055 Ом 0,07 Ом 9,5 FETBench RFD16N06LESM Одиночный Commercial N-канальный Power MOSFET, 60V, 16A, 0.047 Ом @ В Uзи= 4,5V, TO-252/DPAK корпусе N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 16 А 47 мОм 0,047 Ом 51 FETBench FQD20N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 16,8 А 63 мОм 0,063 Ом 11,5 FETBench FQU20N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 16,8 А 63 мОм 0,063 Ом 11,5 FETBench FQPF27P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 60 В 17 А 70 мОм 0,07 Ом 33 FETBench FQP17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 60 В 17 А 120 мОм 0,12 Ом 21 FETBench FQB17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 17 А 120 мОм 0,12 Ом 21 FETBench FQI17P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 17 А 120 мОм 0,12 Ом 21 FETBench FQU20N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 17,2 А 60 мОм 0,06 Ом 0,075 Ом 9,5 FETBench FQD20N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 17,2 А 60 мОм 0,06 Ом 0,075 Ом 9,5 FETBench FQD20N06LE 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET (встроенный диод защиты от ESD) N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 17,2 А 60 мОм 0,06 Ом 0,075 Ом 9,5 FETBench FQA170N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 60 В 170 А 5 мОм 0,0056 Ом 220 FETBench RFD12N06RLESM 60В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET PowerMOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 18 А 63 мОм 0,063 Ом 0,075 Ом 12 FETBench FDD5612 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 18 А 55 мОм 0,055 Ом 7,5 FETBench HUFA76409D3S 17A, 60V, 0.071 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 18 А 63 мОм 0,063 Ом 0,071 Ом 12 FETBench HUFA76409P3 17A, 60V, 0.070 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 18 А 62 мОм 0,062 Ом 0,07 Ом 12 FETBench FQP20N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 60 В 20 А 60 мОм 0,06 Ом 11,5 FETBench HUFA76429D3 20A, 60V, 0,027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 20 А 23 мОм 0,023 Ом 0,027 Ом 38 FETBench HUF76429D3S 20A, 60V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® PowerMOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 23 мОм 0,023 Ом 0,027 Ом 38 FETBench HUF76423D3 с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 20 А 32 мОм 0,032 Ом 0,037 Ом 28 FETBench HUF76419D3 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 20 А 37 мОм 0,037 Ом 0,043 Ом 23 FETBench HUF76419D3S 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 37 мОм 0,037 Ом 0,043 Ом 23 FETBench HUF76423D3S 20A, 60V,0.037 Ом, N-канальный, N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 32 мОм 0,032 Ом 0,037 Ом 28 FETBench HUFA76429D3S 20A, 60V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 23 мОм 0,023 Ом 0,027 Ом 38 FETBench HUFA76423D3S 20A, 60V, 0.037 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 32 мОм 0,032 Ом 0,037 Ом 28 FETBench HUFA76413D3S 20A, 60V, 0.056 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 49 мОм 0,049 Ом 0,056 Ом 17 FETBench HUFA76419D3S 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 20 А 37 мОм 0,037 Ом 0,043 Ом 23 FETBench FQPF30N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 21 А 40 мОм 0,04 Ом 19 FETBench FQP20N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 60 В 21 А 55 мОм 0,055 Ом 0,07 Ом 9,5 FETBench FQB20N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 21 А 55 мОм 0,055 Ом 0,07 Ом 9,5 FETBench FQPF30N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 60 В 22,5 А 35 мОм 0,035 Ом 0,045 Ом 15 FETBench FQD30N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 22,7 А 45 мОм 0,045 Ом 19 FETBench FQD30N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 24 А 39 мОм 0,039 Ом 0,047 Ом 15 FETBench FQU30N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 60 В 24 А 39 мОм 0,039 Ом 0,047 Ом 15 FETBench FDD45AN06LA0 60В N-канальный PowerTrench ®MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 25 А 36 мОм 0,036 Ом 0,045 Ом 8,3 FETBench FQP27P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 60 В 27 А 70 мОм 0,07 Ом 33 FETBench FQB27P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 27 А 70 мОм 0,07 Ом 33 FETBench FQI27P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 27 А 70 мОм 0,07 Ом 33 FETBench HUF76419S3S 60В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 29 А 35 мОм 0,035 Ом 0,04 Ом 22 FETBench HUFA76419P3 27A, 60V, 0.040 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 29 А 35 мОм 0,035 Ом 0,04 Ом 22 FETBench HUFA76419S3S 27A, 60V, 0.040 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 29 А 35 мОм 0,035 Ом 0,04 Ом 22 FETBench HUF76419P3 60V N Одиночный TO-220 60 В 29 А 35 мОм 0,035 Ом 0,04 Ом 22 FETBench FQP30N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 60 В 30 А 40 мОм 0,04 Ом 19 FETBench FQPF47P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 60 В 30 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench FDD5690 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 30 А 27 мОм 0,027 Ом 23 FETBench FQB30N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 30 А 40 мОм 0,04 Ом 19 FETBench FQPF50N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 31 А 22 мОм 0,022 Ом 31 FETBench FQB30N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 32 А 35 мОм 0,035 Ом 0,045 Ом 15 FETBench FQP30N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 60 В 32 А 35 мОм 0,035 Ом 0,045 Ом 15 FETBench FDB5690 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 32 А 27 мОм 0,027 Ом 23 FETBench FDP5690 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 32 А 27 мОм 0,027 Ом 23 FETBench FQPF50N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 60 В 32,6 А 21 мОм 0,021 Ом 0,025 Ом 24,5 FETBench FDD5810 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 35 А 20 мОм 0,02 Ом 0,027 Ом 24 FETBench HUF76423P3 33A, 60V, 0.035 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 35 А 30 мОм 0,03 Ом 0,035 Ом 28 FETBench HUFA76423S3S 33A, 60V, 0.035 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 35 А 30 мОм 0,03 Ом 0,035 Ом 28 FETBench FDD26AN06A0 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 36A, 26mO N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 36 А 26 мОм 0,026 Ом 13 FETBench FDP24AN06LA0 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 36 А 19 мОм 0,019 Ом 0,024 Ом 16 FETBench FDD24AN06LA0 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 36 А 19 мОм 0,019 Ом 0,024 Ом 16 FETBench FDB24AN06LA0 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 36 А 19 мОм 0,019 Ом 0,024 Ом 16 FETBench FDD5680 N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 38 А 21 мОм 0,021 Ом 33 FETBench FQAF47P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 60 В 38 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench FQPF65N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 40 А 16 мОм 0,016 Ом 48 FETBench FDP5680 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 40 А 20 мОм 0,02 Ом 33 FETBench FDB20AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20 milliОм N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 45 А 20 мОм 0,02 Ом 15 FETBench FDD20AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 45 А 20 мОм 0,02 Ом 15 FETBench FDP20AN06A0 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 45A 20mОм N Одиночный TO-220 60 В 45 А 20 мОм 0,02 Ом 15 FETBench FQP47P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 60 В 47 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench HUF76429S3S 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 47 А 22 мОм 0,022 Ом 0,025 Ом 38 FETBench FQB47P06 60В P-канальный MOSFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 47 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench HUFA76429P3 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 47 А 22 мОм 0,022 Ом 0,025 Ом 38 FETBench FQI47P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 47 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench HUF76429P3 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 47 А 22 мОм 0,022 Ом 0,025 Ом 38 FETBench HUFA76429S3S 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 47 А 22 мОм 0,022 Ом 0,025 Ом 38 FETBench NDP6060 N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-220 60 В 48 А 25 мОм 0,025 Ом 39 FETBench NDP6060L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный TO-220 60 В 48 А 25 мОм 0,02 Ом 0,025 Ом 36 FETBench FDD5670 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 48 А 15 мОм 0,015 Ом 49 FETBench FQP50N06 60В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 50 А 22 мОм 0,022 Ом 31 FETBench RFP50N06 50A, 60V, 0,022 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 50 А 22 мОм 0,022 Ом 67 FETBench FDD14AN06LA0 N-канальный Power Trench #174 MOSFET, 60V, 50A, 14mОм N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 50 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,0146 Ом 25 FETBench FDD13AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 0,0135 N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 50 А 13 мОм 0,0135 Ом 22 FETBench FQI50N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 50 А 22 мОм 0,022 Ом 31 FETBench FDD10AN06A0 Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 60V, 50A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе N Одиночный TO-252(DPAK) 60 В 50 А 10 мОм 0,0105 Ом 28 FETBench FQB50N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 50 А 22 мОм 0,022 Ом 31 FETBench FQP50N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 60 В 52 А 21 мОм 0,021 Ом 0,025 Ом 24,5 FETBench FQB50N06L 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 52 А 21 мОм 0,021 Ом 0,025 Ом 24,5 FETBench FQPF85N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 60 В 53 А 10 мОм 0,01 Ом 86 FETBench FDPF55N06 60В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 60 В 55 А 22 мОм 0,022 Ом 6,5 FETBench FDP55N06 60В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 55 А 22 мОм 0,022 Ом 30 FETBench FQA47P06 60В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 60 В 55 А 26 мОм 0,026 Ом 84 FETBench FQB55N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 55 А 20 мОм 0,02 Ом 35 FETBench HUFA76432S3S 55A, 60V, 0.019 Ом, N-канальный N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 59 А 17 мОм 0,017 Ом 0,019 Ом 44 FETBench FDB14AN06LA0 N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 60A, 0.0146 Ом @ В Uзи= 5V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 60 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,0146 Ом 24 FETBench FDP14AN06LA0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 61A, 0.014 Ом, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 60 В 61 А 11 мОм 0,0116 Ом 0,0146 Ом 24 FETBench FDP13AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 0.0135 Ом N Одиночный TO-220 60 В 62 А 13 мОм 0,0135 Ом 22 FETBench FDB13AN06A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 0.0135 Ом N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 62 А 13 мОм 0,0135 Ом 22 FETBench FDP65N06 60В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 65 А 16 мОм 0,016 Ом 33 FETBench FQP65N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 60 В 65 А 16 мОм 0,016 Ом 48 FETBench FQB65N06 60В N-канальный QFET Mosfet N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 65 А 16 мОм 0,016 Ом 48 FETBench RFG70N06 70A, 60V, 0.014 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 60 В 70 А 14 мОм 0,014 Ом 100 FETBench HUFA76443P3 75A, 60V, 0.0095 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 0,0095 Ом 107 FETBench HUF76445S3S 75A, 60V, 0.0075 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 75 А 6 мОм 0,0065 Ом 0,0075 Ом 124 FETBench HUF76439S3S 71A, 60V, 0.014Ом, N-канальный, Logic Lvl UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 75 А 12 мОм 0,012 Ом 0,014 Ом 70 FETBench HUF76445P3 75A, 60V, 0.0075 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 75 А 6 мОм 0,0065 Ом 0,0075 Ом 124 FETBench FDB10AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 75A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 75 А 10 мОм 0,0105 Ом 28 FETBench FDP10AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 75A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 60 В 75 А 10 мОм 0,0105 Ом 28 FETBench HUF76439P3 71A, 60V, 0.014Ом, N-канальный, Logic Lvl UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 75 А 12 мОм 0,012 Ом 0,014 Ом 70 FETBench FDB5800 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 80 А 6 мОм 0,006 Ом 0,007 Ом 104 FETBench FDP5800 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 60 В 80 А 6 мОм 0,006 Ом 0,007 Ом 112 FETBench FDP050AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 80A, 5mОм, TO-220AB N Одиночный TO-220 60 В 80 А 5 мОм 0,005 Ом 61 FETBench FDP038AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0 ,0038 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 60 В 80 А 3 мОм 0,0038 Ом 95 FETBench FDI038AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0,0038 Ом @ В Uзи= 10V, TO-262/I2PAK корпусе N Одиночный TO-262(I2PAK) 60 В 80 А 3 мОм 0,0038 Ом 95 FETBench FDB035AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0.0035 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 80 А 3 мОм 0,0035 Ом 95 FETBench FDB050AN06A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 80A, 5mОм, TO-263AB N Одиночный TO-263(D2PAK) 60 В 80 А 5 мОм 0,005 Ом 61 FETBench FQP85N06 60В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 60 В 85 А 10 мОм 0,01 Ом 86 FETBench FDSS2407 62В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 62 В 3,3 А 110 мОм 0,11 Ом 0,132 Ом 3,3 FETBench FDD16AN08A0 Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 50A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе N Одиночный TO-252(DPAK) 75 В 50 А 16 мОм 0,016 Ом 31 FETBench FDP16AN08A0 Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 58A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 75 В 58 А 16 мОм 0,016 Ом 28 FETBench FDB16AN08A0 Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 58A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 75 В 58 А 16 мОм 0,016 Ом 28 FETBench FDP75N08A 75В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 75 В 75 А 11 мОм 0,011 Ом 80 FETBench FDP75N08 75В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 75 В 75 А 11 мОм 0,011 Ом 64 FETBench FDP060AN08A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 75V, 80A, 0,006 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220AB корпусе N Одиночный TO-220 75 В 80 А 6 мОм 0,006 Ом 99 FETBench FDP047AN08A0 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 75 В 80 А 4 мОм 0,0047 Ом 92 FETBench FDB060AN08A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 75V, 80A, 0.006 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 75 В 80 А 6 мОм 0,006 Ом 99 FETBench FDH047AN08A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 75 В 80 А 4 мОм 0,0047 Ом 92 FETBench FDH038AN08A1 N-канальный PowerTrench®; MOSFET, 75V, 80A, 3,8 MОм TO-247 корпусе N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 75 В 80 А 3 мОм 0,0038 Ом 125 FETBench FDI047AN08A0 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 75 В 80 А 4 мОм 0,0047 Ом 92 FETBench FDB045AN08A0 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 75 В 90 А 4 мОм 0,0045 Ом 92 FETBench FDC3512 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 80 В 3 А 77 мОм 0,077 Ом 13 FETBench FDS3812 80В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 80 В 3,4 А 74 мОм 0,074 Ом 13 FETBench FDS3512 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 80 В 4 А 70 мОм 0,07 Ом 13 FETBench FDS3890 80В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 80 В 4,7 А 44 мОм 0,044 Ом 29 FETBench FDS3590 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 80 В 6,5 А 37 мОм 0,037 Ом 23 FETBench FDS3580 N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 80 В 7,6 А 27 мОм 0,027 Ом 34 FETBench FDMS3572 80В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 80 В 8,8 А 16 мОм 0,0165 Ом 28 FETBench FDS3572 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 80 В 8,9 А 16 мОм 0,016 Ом 31 FETBench FQP9N08L 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 80 В 9,3 А 210 мОм 0,21 Ом 0,23 Ом 4,7 FETBench FQB9N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 80 В 9,3 А 210 мОм 0,21 Ом 5,9 FETBench FQD17N08L 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 80 В 12,9 А 100 мОм 0,1 Ом 0,115 Ом 8,8 FETBench FQB17N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 80 В 16,5 А 115 мОм 0,115 Ом 12 FETBench FQP17N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 16,5 А 115 мОм 0,115 Ом 12 FETBench FQP17N08L 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 80 В 16,5 А 100 мОм 0,1 Ом 0,115 Ом 8,8 FETBench FQI17N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 80 В 16,5 А 115 мОм 0,115 Ом 12 FETBench FQD24N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 80 В 19,6 А 60 мОм 0,06 Ом 19 FETBench FQP24N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 24 А 60 мОм 0,06 Ом 19 FETBench FQB24N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 80 В 24 А 60 мОм 0,06 Ом 19 FETBench FQP44N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 44 А 34 мОм 0,034 Ом 38 FETBench FQAF90N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 80 В 56 А 16 мОм 0,016 Ом 84 FETBench FQP58N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 57 А 24 мОм 0,024 Ом 50 FETBench FQP70N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 70 А 17 мОм 0,017 Ом 75 FETBench FQP90N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 80 В 71 А 16 мОм 0,016 Ом 84 FETBench HUF75545S3S 75A, 80V, 0,010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 80 В 75 А 10 мОм 0,01 Ом 105 FETBench HUF75545P3 75A, 80V, 0,010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 80 В 75 А 10 мОм 0,01 Ом 105 FETBench HUF75542P3 75A, 80V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFet Power MOSFET N Одиночный TO-220 80 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 80 FETBench HUF75545S3 75A, 80V, 0.010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET, TO-262/I2PAK корпусе N Одиночный TO-262(I2PAK) 80 В 75 А 10 мОм 0,01 Ом 105 FETBench HUFA75545P3 75A, 80V, 0.010 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 80 В 75 А 10 мОм 0,01 Ом 105 FETBench FQA90N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 80 В 90 А 16 мОм 0,016 Ом 84 FETBench FQA160N08 80В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 80 В 160 А 7 мОм 0,007 Ом 220 FETBench BSS123 N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения N Одиночный SOT-23 100 В 0,17 А 6000 мОм 6 Ом 10 Ом 1,7 FETBench FDT461N 100В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-223 100 В 0,4 А 2000 мОм 2 Ом 2,5 Ом 2,36 FETBench FDG361N N-канальный 100В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Одиночный SC70-6 100 В 0,6 А 500 мОм 0,5 Ом 3,7 FETBench FDC3601N Сдвоенный N-канальный 100В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SSOT-6 100 В 1 А 500 мОм 0,5 Ом 3,7 FETBench FQT5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный SOT-223 100 В 1 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench FDS3601 100В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 100 В 1,3 А 480 мОм 0,48 Ом 3,7 FETBench IRLM110A 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET N Одиночный SOT-223 100 В 1,5 А 440 мОм 0,44 Ом 5,5 FETBench FQT7N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный SOT-223 100 В 1,7 А 350 мОм 0,35 Ом 0,38 Ом 4,6 FETBench FQT7N10 100В N-канальный QFET N Одиночный SOT-223 100 В 1,7 А 350 мОм 0,35 Ом 5,8 FETBench IRFM120A 100В N-канальный A-FET / аналог IRFM120 N Одиночный SOT-223 100 В 2,3 А 200 мОм 0,2 Ом 16 FETBench FDC3612 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 100 В 2,6 А 125 мОм 0,125 Ом 14 FETBench FQPF5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 100 В 2,9 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench FDS3912 100В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET N Сдвоенный SO-8 100 В 3 А 125 мОм 0,125 Ом 14 FETBench FDS3612 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 100 В 3,4 А 120 мОм 0,12 Ом 14 FETBench FQD5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 3,6 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench FDC3616N 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 100 В 3,7 А 70 мОм 0,07 Ом 23 FETBench FDT3612 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SOT-223 100 В 3,7 А 120 мОм 0,12 Ом 14 FETBench FDM3622 100В N-канальный UltraFet Trench.®MOSFET N Одиночный Power 33 100 В 4,4 А 60 мОм 0,06 Ом 13 FETBench FDS3692 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 4,5A, 0,060 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Одиночный SO-8 100 В 4,5 А 60 мОм 0,06 Ом 11 FETBench FDS3992 Одиночный Commercial N-канальный PowerTrench MOSFET, 100V, 4,5A, 0,062 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Сдвоенный SO-8 100 В 4,5 А 62 мОм 0,062 Ом 11 FETBench FQP5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 100 В 4,5 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench FQI5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 4,5 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench FQB5P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 4,5 А 1050 мОм 1,05 Ом 6,3 FETBench IRLR110A 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLR110 N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 4,7 А 440 мОм 0,44 Ом 5,5 FETBench IRLU110A 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLU110 N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 4,7 А 440 мОм 0,44 Ом 5,5 FETBench FQPF8P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 100 В 5,3 А 530 мОм 0,53 Ом 12 FETBench HUF75631SK8 5,5A,100V, 0,039 Ом,N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный SO-8 100 В 5,5 А 39 мОм 0,039 Ом 35 FETBench FQPF7N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 100 В 5,5 А 350 мОм 0,35 Ом 0,38 Ом 4,6 FETBench FQPF7N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 5,5 А 350 мОм 0,35 Ом 5,8 FETBench IRL510A 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL510 N Одиночный TO-220 100 В 5,6 А 440 мОм 0,44 Ом 5,5 FETBench IRLI510A 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET N Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 5,6 А 440 мОм 0,44 Ом 5,5 FETBench FQD7N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 5,8 А 350 мОм 0,35 Ом 0,38 Ом 4,6 FETBench FQD7N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 5,8 А 350 мОм 0,35 Ом 5,8 FETBench FQU7N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 5,8 А 350 мОм 0,35 Ом 0,38 Ом 4,6 FETBench FDS3682 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 6A, 0,035 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Одиночный SO-8 100 В 6 А 35 мОм 0,035 Ом 19 FETBench FQD8P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 6,6 А 530 мОм 0,53 Ом 12 FETBench FQU8P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 6,6 А 530 мОм 0,53 Ом 12 FETBench FDS3170N7 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 100 В 6,7 А 26 мОм 0,026 Ом 55 FETBench FQP7N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 100 В 7,3 А 350 мОм 0,35 Ом 0,38 Ом 4,6 FETBench FQP7N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 7,3 А 350 мОм 0,35 Ом 5,8 FETBench FQB7N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 7,3 А 350 мОм 0,35 Ом 5,8 FETBench FDMS3672 100В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 100 В 7,4 А 23 мОм 0,023 Ом 31 FETBench FDS3672 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 7,5A, 0,022 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Одиночный SO-8 100 В 7,5 А 22 мОм 0,022 Ом 28 FETBench FQP8P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 100 В 8 А 530 мОм 0,53 Ом 12 FETBench FQB8P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 8 А 530 мОм 0,53 Ом 12 FETBench FQPF12P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 100 В 8,2 А 290 мОм 0,29 Ом 21 FETBench FQPF13N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 8,7 А 180 мОм 0,18 Ом 12 FETBench FQD12P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 9,4 А 290 мОм 0,29 Ом 21 FETBench FQU13N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 10 А 180 мОм 0,18 Ом 0,2 Ом 8,7 FETBench FQD13N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 10 А 180 мОм 0,18 Ом 0,2 Ом 8,7 FETBench HUFA76609D3S 10A, 100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 10 А 160 мОм 0,16 Ом 0,165 Ом 13 FETBench FQD13N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 10 А 180 мОм 0,18 Ом 12 FETBench HUF76609D3S 10A,100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 10 А 160 мОм 0,16 Ом 0,165 Ом 13 FETBench HUF76609D3 10A,100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 10 А 160 мОм 0,16 Ом 0,165 Ом 13 FETBench FQU13N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 10 А 180 мОм 0,18 Ом 12 FETBench FQPF17P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 100 В 10,5 А 190 мОм 0,19 Ом 30 FETBench FQP12P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 100 В 11,5 А 290 мОм 0,29 Ом 21 FETBench FQB12P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 11,5 А 290 мОм 0,29 Ом 21 FETBench FQAF17P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 12,4 А 190 мОм 0,19 Ом 30 FETBench FQP13N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 12,8 А 180 мОм 0,18 Ом 12 FETBench FQP13N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 100 В 12,8 А 180 мОм 0,18 Ом 0,2 Ом 8,7 FETBench FQB13N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 12,8 А 180 мОм 0,18 Ом 0,2 Ом 8,7 FETBench FQPF22P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 100 В 13,2 А 125 мОм 0,125 Ом 40 FETBench FQPF19N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 13,6 А 100 мОм 0,1 Ом 19 FETBench FQPF19N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 100 В 13,6 А 100 мОм 0,1 Ом 0,11 Ом 14 FETBench FQD19N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 15,6 А 100 мОм 0,1 Ом 19 FETBench FQD19N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 15,6 А 100 мОм 0,1 Ом 0,11 Ом 14 FETBench FQP17P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 100 В 16,5 А 190 мОм 0,19 Ом 30 FETBench FQB17P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 16,5 А 190 мОм 0,19 Ом 30 FETBench FQPF33N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 18 А 52 мОм 0,052 Ом 38 FETBench FQPF33N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 100 В 18 А 52 мОм 0,052 Ом 0,055 Ом 30 FETBench FQA17P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 18 А 190 мОм 0,19 Ом 30 FETBench HUFA76619D3S 18A, 100V, 0.087 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 18 А 85 мОм 0,085 Ом 0,087 Ом 24 FETBench FQP19N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 19 А 100 мОм 0,1 Ом 19 FETBench FQB19N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 19 А 100 мОм 0,1 Ом 19 FETBench FQB19N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 19 А 100 мОм 0,1 Ом 0,11 Ом 14 FETBench FQP19N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 100 В 19 А 100 мОм 0,1 Ом 0,11 Ом 14 FETBench HUF76629D3S 20A,100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 20 А 52 мОм 0,052 Ом 0,054 Ом 38 FETBench HUF76629D3 20A,100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 100 В 20 А 52 мОм 0,052 Ом 0,054 Ом 38 FETBench HUFA76629D3S 20A, 100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltrFET® Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 20 А 52 мОм 0,052 Ом 0,054 Ом 38 FETBench FQB22P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 22 А 125 мОм 0,125 Ом 40 FETBench RFP22N10 22A, 100V, 0.080 Ом, N-канальный Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 22 А 80 мОм 0,08 Ом 58 FETBench FDD3690 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 22 А 64 мОм 0,064 Ом 28 FETBench FQP22P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 100 В 22 А 125 мОм 0,125 Ом 40 FETBench FQA22P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 24 А 125 мОм 0,125 Ом 40 FETBench FDD3680 100В N-канальный PowerTrench ® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 25 А 46 мОм 0,046 Ом 38 FETBench FQAF33N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 25,8 А 52 мОм 0,052 Ом 38 FETBench FQPF44N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 27 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FDD3682 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 32A, 0,036 Ом N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 32 А 36 мОм 0,036 Ом 18,5 FETBench FDB3682 100В N-канальный Power Trench® MOSFET 32A, 0.036 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 32 А 36 мОм 0,036 Ом 18,5 FETBench FDP3682 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 32A, 0.036 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 100 В 32 А 36 мОм 0,036 Ом 18,5 FETBench FQP33N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 33 А 52 мОм 0,052 Ом 38 FETBench FQB33N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 33 А 52 мОм 0,052 Ом 38 FETBench FQP33N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 100 В 33 А 52 мОм 0,052 Ом 0,055 Ом 30 FETBench HUF75631S3S 100В N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 33 А 40 мОм 0,04 Ом 35 FETBench HUF75631P3 33A, 100V, 0.40 Ом, N-канальный ® UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 33 А 40 мОм 0,04 Ом 35 FETBench FQB33N10L 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 33 А 52 мОм 0,052 Ом 0,055 Ом 30 FETBench FQAF44N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 33 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FQB34P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 33,5 А 60 мОм 0,06 Ом 85 FETBench FQI34P10 100В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 33,5 А 60 мОм 0,06 Ом 85 FETBench FDD3670 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 34 А 32 мОм 0,032 Ом 57 FETBench FQPF55N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 34,2 А 26 мОм 0,026 Ом 75 FETBench FQPF70N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 100 В 35 А 25 мОм 0,025 Ом 85 FETBench FQA33N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 36 А 52 мОм 0,052 Ом 38 FETBench FQP44N10F 100В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 43,5 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FQB44N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 43,5 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FQP44N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 43,5 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FDB3672 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 44 А 28 мОм 0,028 Ом 24 FETBench FDD3672 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 44A, 0.028 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе N Одиночный TO-252(DPAK) 100 В 44 А 28 мОм 0,028 Ом 24 FETBench HUF75637S3S 44A, 100V, 0.030 Ом,N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 44 А 30 мОм 0,03 Ом 48 FETBench HUF75637P3 44A, 100V, 0.030 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 44 А 30 мОм 0,03 Ом 48 FETBench HUFA75637P3 44A, 100V, 0.030 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 44 А 30 мОм 0,03 Ом 48 FETBench FQA44N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 48 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench FQH44N10 100В N-канальный Q-FET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 48 А 39 мОм 0,039 Ом 48 FETBench HUFA76639S3S 50A, 100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 51 А 26 мОм 0,026 Ом 0,027 Ом 71 FETBench HUF76639S3S 50A,100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 51 А 26 мОм 0,026 Ом 0,027 Ом 71 FETBench HUF76639P3 50A,100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 51 А 26 мОм 0,026 Ом 0,027 Ом 71 FETBench FQP55N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 55 А 26 мОм 0,026 Ом 75 FETBench FQB55N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 55 А 26 мОм 0,026 Ом 75 FETBench HUF75639P3 56A, 100V, 0 ,025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench HUF75639S3 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench HUF75639S3S 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench HUF75639G3 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench HUFA75639S3S 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench HUFA75639G3 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 56 А 25 мОм 0,025 Ом 57 FETBench FQP70N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 100 В 57 А 25 мОм 0,025 Ом 85 FETBench FDB3652 N-канальный Power Trench® MOSFET, 100V, 61A, 0,016 Ом N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 61 А 16 мОм 0,016 Ом 41 FETBench FDP3652 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 0.016 Ом N Одиночный TO-220 100 В 61 А 16 мОм 0,016 Ом 41 FETBench FQA55N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 61 А 26 мОм 0,026 Ом 75 FETBench FDI3652 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 0.016 Ом N Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 61 А 16 мОм 0,016 Ом 41 FETBench FQA70N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 70 А 25 мОм 0,025 Ом 85 FETBench FQH70N10 100В N-канальный Q-FET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 70 А 23 мОм 0,023 Ом 85 FETBench HUF75645P3 75A, 100V, 0,014 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 106 FETBench HUF75645S3S 75A, 100V, 0,014 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 106 FETBench HUFA75645P3 75A, 100V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 106 FETBench HUF76645S3S 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 0,015 Ом 127 FETBench HUF75652G3 HUF75652G3 75A,100V,0.008 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 211 FETBench HUF76645P3 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 0,015 Ом 127 FETBench HUFA75645S3S 75A, 100V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 106 FETBench HUFA76645S3S 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 0,015 Ом 127 FETBench HUFA76645P3 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 75 А 14 мОм 0,014 Ом 0,015 Ом 127 FETBench HUFA75652G3 75A, 100V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 75 А 8 мОм 0,008 Ом 211 FETBench FDP3651U 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 80 А 18 мОм 0,018 Ом 49 FETBench FDH3632 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 80 А 9 мОм 0,009 Ом 84 FETBench FDP3632 100В N-канальный Trench® MOSFET N Одиночный TO-220 100 В 80 А 9 мОм 0,009 Ом 84 FETBench FDB3632 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 100 В 80 А 9 мОм 0,009 Ом 84 FETBench FDI3632 100В N-канальный Trench® MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 100 В 80 А 9 мОм 0,009 Ом 84 FETBench FQP90N10V2 100В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220 100 В 90 А 10 мОм 0,01 Ом 146 FETBench FQPF90N10V2 100В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220F 100 В 90 А 10 мОм 0,01 Ом 146 FETBench FQA90N10V2 100В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 105 А 10 мОм 0,01 Ом 26,5 FETBench FQH90N10V2 100В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 105 А 10 мОм 0,01 Ом 147 FETBench FQA140N10 100В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 140 А 10 мОм 0,01 Ом 220 FETBench FQH140N10 100В N-канальный Q-FET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 100 В 140 А 10 мОм 0,01 Ом 220 FETBench FDP3672 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 105V, 41A, 0,033 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 105 В 41 А 33 мОм 0,033 Ом 28 FETBench FQPF15P12 120В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 120 В 15 А 200 мОм 0,2 Ом 29 FETBench FQB15P12 120В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 120 В 15 А 200 мОм 0,2 Ом 29 FETBench FQP15P12 120В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 120 В 15 А 200 мОм 0,2 Ом 29 FETBench FQPF32N12V2 120В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220F 120 В 32 А 50 мОм 0,05 Ом 41 FETBench FQB32N12V2 120В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-263(D2PAK) 120 В 32 А 50 мОм 0,05 Ом 41 FETBench FQP32N12V2 120В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220 120 В 32 А 50 мОм 0,05 Ом 41 FETBench FQI32N12V2 120В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-262(I2PAK) 120 В 32 А 50 мОм 0,05 Ом 41 FETBench FDC2512 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 150 В 1,4 А 425 мОм 0,425 Ом 8 FETBench FDMC2523P -150В P-канальный QFET® P Одиночный Power 33 150 В 3 А 1500 мОм 1,5 Ом 6,2 FETBench FDS2070N7 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 150 В 4,1 А 78 мОм 0,078 Ом 38 FETBench FDS2070N3 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 150 В 4,1 А 78 мОм 0,078 Ом 38 FETBench FQD5N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 4,3 А 800 мОм 0,8 Ом 5,4 FETBench FDS2582 Одиночный Commercial N-канальный UltraFET TRENCH MOSFET, 150V, 4 ,5A, 0 ,060 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе N Одиночный SO-8 150 В 4,5 А 66 мОм 0,066 Ом 11 FETBench FDS2572 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET N Одиночный SO-8 150 В 4,9 А 47 мОм 0,047 Ом 29 FETBench FQI5N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 150 В 5,4 А 800 мОм 0,8 Ом 5,4 FETBench FQB6N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 6,4 А 600 мОм 0,6 Ом 6,5 FETBench FDD2512 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 6,7 А 420 мОм 0,42 Ом 8 FETBench FQP9N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 150 В 9 А 400 мОм 0,4 Ом 10 FETBench FQPF14N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 150 В 9,8 А 210 мОм 0,21 Ом 18 FETBench FQD14N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 10 А 210 мОм 0,21 Ом 18 FETBench FQPF16N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 150 В 11,6 А 160 мОм 0,16 Ом 23 FETBench FQD16N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 11,8 А 160 мОм 0,16 Ом 23 FETBench FDD120AN15A0 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 0 ,120 Ом N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 14 А 120 мОм 0,12 Ом 11,2 FETBench FDP120AN15A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 14A, 0.120 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе N Одиночный TO-220 150 В 14 А 120 мОм 0,12 Ом 11,2 FETBench FQP16N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 150 В 16,4 А 160 мОм 0,16 Ом 23 FETBench FQB16N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 16,4 А 160 мОм 0,16 Ом 23 FETBench FQPF28N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 150 В 16,7 А 90 мОм 0,09 Ом 40 FETBench SFH9154 150В P-канальный A-FET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 18 А 200 мОм 0,2 Ом 100 FETBench FDD2582 N-канальный PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 0.066 Ом N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 21 А 66 мОм 0,066 Ом 19 FETBench FDP2570 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 22 А 80 мОм 0,08 Ом 40 FETBench FQPF46N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 150 В 25,6 А 42 мОм 0,042 Ом 85 FETBench FDMS2572 150В N-канальный UltraFET Trench®MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 150 В 27 А 47 мОм 0,047 Ом 31 FETBench FDD2572 N-канальный Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 0.054 Ом N Одиночный TO-252(DPAK) 150 В 29 А 54 мОм 0,054 Ом 26 FETBench FDP2572 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 29 А 54 мОм 0,054 Ом 26 FETBench FDB2572 150В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET 29A, 0.056 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 29 А 54 мОм 0,054 Ом 26 FETBench FDU2572 N-канальный PowerTrench® MOSFET, 150V, 29A, 0.056 Ом N Одиночный TO-251(IPAK) 150 В 29 А 54 мОм 0,054 Ом 26 FETBench FQA28N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 33 А 90 мОм 0,09 Ом 40 FETBench SFH154 150В N-канальный A-FET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 34 А 75 мОм 0,075 Ом 90 FETBench FDP42AN15A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 35A, 0.042 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-220 150 В 35 А 42 мОм 0,042 Ом 30 FETBench FDB42AN15A0 Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 35A, 0.042 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 35 А 42 мОм 0,042 Ом 30 FETBench FQA36P15 150В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 36 А 90 мОм 0,09 Ом 125 FETBench FDB2552 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 37 А 36 мОм 0,036 Ом 41 FETBench FDP2552 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 37 А 36 мОм 0,036 Ом 41 FETBench HUFA75842P3 43A, 150V, 0,042 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 43 А 42 мОм 0,042 Ом 77 FETBench HUF75842P3 43A, 150V, 0.042 Ом, N-канальный,UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 43 А 42 мОм 0,042 Ом 77 FETBench HUFA75842S3S 43A, 150V, 0.042 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 43 А 42 мОм 0,042 Ом 77 FETBench FQAF70N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 44 А 28 мОм 0,028 Ом 135 FETBench FQPF45N15V2 150В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220F 150 В 45 А 40 мОм 0,04 Ом 72 FETBench FQP45N15V2 150В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220 150 В 45 А 40 мОм 0,04 Ом 72 FETBench FQB45N15V2 150В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 45 А 40 мОм 0,04 Ом 72 FETBench FQP46N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 150 В 45,6 А 42 мОм 0,042 Ом 85 FETBench FQA46N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 50 А 42 мОм 0,042 Ом 85 FETBench FDB66N15 150В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 66 А 36 мОм 0,036 Ом 49 FETBench FQA70N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 70 А 28 мОм 0,028 Ом 135 FETBench HUF75852G3 75A, 150V, 0.016 Ом, N-канальный,UltraFET Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 75 А 16 мОм 0,016 Ом 215 FETBench HUFA75852G3 75A, 150V, 0.016 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 75 А 16 мОм 0,016 Ом 215 FETBench FDPF79N15 150В N-канальный MOSFET UniFET™ N Одиночный TO-220F 150 В 79 А 30 мОм 0,03 Ом 56 FETBench FDP79N15 150В N-канальный MOSFET UniFET™ N Одиночный TO-220 150 В 79 А 30 мОм 0,03 Ом 56 FETBench FDA79N15 150В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 79 А 30 мОм 0,03 Ом 56 FETBench FDP2532 150В Channel UltraFET Trench MOSFET N Одиночный TO-220 150 В 79 А 16 мОм 0,016 Ом 86 FETBench FDB2532 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 150 В 79 А 16 мОм 0,016 Ом 86 FETBench FDI2532 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 150 В 79 А 16 мОм 0,016 Ом 86 FETBench FQH90N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 150 В 90 А 18 мОм 0,018 Ом 220 FETBench FQA90N15 150В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF/TO-3PN 150 В 90 А 18 мОм 0,018 Ом 220 FETBench FQT3P20 200В P-канальный QFET P Одиночный SOT-223 200 В 0,67 А 2700 мОм 2,7 Ом 6 FETBench IRLM210A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET N Одиночный SOT-223 200 В 0,77 А 1500 мОм 1,5 Ом 6,1 FETBench FQT4N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный SOT-223 200 В 0,85 А 1350 мОм 1,35 Ом 1,4 Ом 4 FETBench IRFNL210B 200В N-канальный B-FET TO-92L N Одиночный TO-92L 200 В 1 А 1500 мОм 1,5 Ом 7,2 FETBench FDC2612 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SSOT-6 200 В 1,1 А 725 мОм 0,725 Ом 8 FETBench FQPF3P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 200 В 2,2 А 2700 мОм 2,7 Ом 6 FETBench FQD3P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 2,4 А 2700 мОм 2,7 Ом 6 FETBench FQP3P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 200 В 2,8 А 2700 мОм 2,7 Ом 6 FETBench FQPF4N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 2,8 А 1400 мОм 1,4 Ом 5 FETBench FQB3P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 2,8 А 2700 мОм 2,7 Ом 6 FETBench FDS2170N3 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 200 В 3 А 128 мОм 0,128 Ом 26 FETBench FQD4N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3 А 1400 мОм 1,4 Ом 5 FETBench FDS2670 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный SO-8 200 В 3 А 130 мОм 0,13 Ом 27 FETBench FDS2170N7 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный FLMP 200 В 3 А 128 мОм 0,128 Ом 26 FETBench FQD4N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3,2 А 1350 мОм 1,35 Ом 1,4 Ом 4 FETBench IRL610A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL610 N Одиночный TO-220 200 В 3,3 А 1500 мОм 1,5 Ом 6,1 FETBench FQPF5P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 200 В 3,4 А 1400 мОм 1,4 Ом 10 FETBench FQPF5N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 200 В 3,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,25 Ом 4,8 FETBench FDD2670 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3,6 А 130 мОм 0,13 Ом 27 FETBench FQP4N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 200 В 3,6 А 1400 мОм 1,4 Ом 5 FETBench FQB4N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 3,6 А 1400 мОм 1,4 Ом 5 FETBench FQD5P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3,7 А 1400 мОм 1,4 Ом 10 FETBench FQU5P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 3,7 А 1400 мОм 1,4 Ом 10 FETBench FQD5N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3,8 А 1200 мОм 1,2 Ом 6 FETBench FQP4N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 200 В 3,8 А 1350 мОм 1,35 Ом 1,4 Ом 4 FETBench FQD5N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 3,8 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,25 Ом 4,8 FETBench FDS2672 200В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный SO-8 200 В 3,9 А 70 мОм 0,07 Ом 33 FETBench FQE10N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO126 200 В 4 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQB5N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 4,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,25 Ом 4,8 FETBench FQP5N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 200 В 4,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 1,25 Ом 4,8 FETBench FQPF7N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 4,8 А 690 мОм 0,69 Ом 8 FETBench FQP5P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 200 В 4,8 А 1400 мОм 1,4 Ом 10 FETBench FQB5P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 4,8 А 1400 мОм 1,4 Ом 10 FETBench FDD2612 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 4,9 А 720 мОм 0,72 Ом 8 FETBench FQPF7N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220F 200 В 5 А 750 мОм 0,75 Ом 0,78 Ом 6,8 FETBench FQPF7P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 200 В 5,2 А 690 мОм 0,69 Ом 19 FETBench FQD7N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 5,3 А 690 мОм 0,69 Ом 8 FETBench FQU7N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 5,3 А 690 мОм 0,69 Ом 8 FETBench FQD7N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 5,5 А 750 мОм 0,75 Ом 0,78 Ом 6,8 FETBench FQD7P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 5,7 А 690 мОм 0,69 Ом 19 FETBench FQU7P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 5,7 А 690 мОм 0,69 Ом 19 FETBench FQPF630 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 6,3 А 400 мОм 0,4 Ом 19 FETBench FQP7N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 200 В 6,5 А 750 мОм 0,75 Ом 0,78 Ом 6,8 FETBench FQP7N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 200 В 6,6 А 690 мОм 0,69 Ом 8 FETBench FQPF10N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 6,8 А 360 мОм 0,36 Ом 13,5 FETBench FQD630 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 7 А 400 мОм 0,4 Ом 19 FETBench FQB7P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 7,3 А 690 мОм 0,69 Ом 19 FETBench FQPF12P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 200 В 7,3 А 470 мОм 0,47 Ом 31 FETBench FQP7P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 200 В 7,3 А 690 мОм 0,69 Ом 19 FETBench IRLR230A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 7,5 А 400 мОм 0,4 Ом 18,6 FETBench FQD10N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 7,6 А 360 мОм 0,36 Ом 0,38 Ом 13 FETBench FQU10N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 7,6 А 360 мОм 0,36 Ом 13,5 FETBench FQU10N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 7,8 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQD10N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 7,8 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQD12N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 9 А 280 мОм 0,28 Ом 0,32 Ом 16 FETBench IRL630A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL630 N Одиночный TO-220 200 В 9 А 400 мОм 0,4 Ом 18,6 FETBench FQU12N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 200 В 9 А 280 мОм 0,28 Ом 18 FETBench FQD12N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 9 А 280 мОм 0,28 Ом 18 FETBench IRLW630A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 9 А 400 мОм 0,4 Ом 18,6 FETBench FDMC2610 200В N-канальный UltraFET Trench,®MOSFET N Одиночный Power 33 200 В 9,5 А 200 мОм 0,2 Ом 12,3 FETBench FQPF10N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 200 В 9,5 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQP10N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 200 В 9,5 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQB10N20C 200В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 9,5 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench FQI10N20C 200В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 200 В 9,5 А 360 мОм 0,36 Ом 20 FETBench IRLS640A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLS640 N Одиночный TO-220F 200 В 9,8 А 180 мОм 0,18 Ом 40 FETBench FDMC2674 220В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 33 220 В 7 А 336 мОм 0,336 Ом 12,7 FETBench FQP10N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 200 В 10 А 360 мОм 0,36 Ом 13,5 FETBench FQB10N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 10 А 360 мОм 0,36 Ом 0,38 Ом 13 FETBench FQP12P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 200 В 11,5 А 470 мОм 0,47 Ом 31 FETBench FQB12P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 11,5 А 470 мОм 0,47 Ом 31 FETBench FQAF12P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 11,5 А 470 мОм 0,47 Ом 31 FETBench FQPF19N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 11,8 А 150 мОм 0,15 Ом 31 FETBench FQA12P20 200В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 12,6 А 470 мОм 0,47 Ом 31 FETBench FQD18N20V2 200В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-252(DPAK) 200 В 15 А 140 мОм 0,14 Ом 20 FETBench FQAF19N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 15 А 150 мОм 0,15 Ом 31 FETBench FQAF19N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 16 А 140 мОм 0,14 Ом 0,15 Ом 27 FETBench FQPF34N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 200 В 17,5 А 75 мОм 0,075 Ом 60 FETBench IRL640A 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL640 N Одиночный TO-220 200 В 18 А 180 мОм 0,18 Ом 40 FETBench FQPF18N20V2 200В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220F 200 В 18 А 140 мОм 0,14 Ом 20 FETBench FQP18N20V2 200В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-220 200 В 18 А 140 мОм 0,14 Ом 20 FETBench FQP19N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 200 В 19 А 170 мОм 0,17 Ом 40,5 FETBench FDB2670 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 19 А 130 мОм 0,13 Ом 27 FETBench FQPF19N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 200 В 19 А 170 мОм 0,17 Ом 40,5 FETBench FDP2670 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-220 200 В 19 А 130 мОм 0,13 Ом 27 FETBench FQB19N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 19 А 170 мОм 0,17 Ом 40,5 FETBench FQP19N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 200 В 19,4 А 150 мОм 0,15 Ом 31 FETBench FQB19N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 19,4 А 150 мОм 0,15 Ом 31 FETBench FQI19N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 200 В 19,4 А 150 мОм 0,15 Ом 31 FETBench SFH9250L 200В P-канальный с управлением логическими уровнями A-FET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 19,5 А 230 мОм 0,23 Ом 90 FETBench FDMS2672 200В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 200 В 20 А 77 мОм 0,077 Ом 30 FETBench FQB19N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 21 А 140 мОм 0,14 Ом 0,15 Ом 27 FETBench FQP19N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 200 В 21 А 140 мОм 0,14 Ом 0,15 Ом 27 FETBench FQA19N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 21,8 А 170 мОм 0,17 Ом 40,5 FETBench HUF75939P3 22A, 200V, 0.125 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET N Одиночный TO-220 200 В 22 А 125 мОм 0,125 Ом 64 FETBench FQA19N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 25 А 140 мОм 0,14 Ом 0,15 Ом 27 FETBench FQB32N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 28 А 82 мОм 0,082 Ом 82,5 FETBench FQP32N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 200 В 28 А 82 мОм 0,082 Ом 82,5 FETBench FQPF32N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 200 В 28 А 82 мОм 0,082 Ом 82,5 FETBench FQP34N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 200 В 31 А 75 мОм 0,075 Ом 60 FETBench FQB34N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 31 А 75 мОм 0,075 Ом 60 FETBench FQB34N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 31 А 75 мОм 0,075 Ом 0,08 Ом 55 FETBench FQP34N20L 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET N Одиночный TO-220 200 В 31 А 75 мОм 0,075 Ом 0,08 Ом 55 FETBench FQA32N20C 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 32 А 82 мОм 0,082 Ом 82,5 FETBench FQA34N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 34 А 75 мОм 0,075 Ом 60 FETBench FDP39N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 200 В 39 А 66 мОм 0,066 Ом 38 FETBench FDPF39N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 200 В 39 А 66 мОм 0,066 Ом 38 FETBench FQA48N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 48 А 50 мОм 0,05 Ом 100 FETBench FDB52N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 52 А 49 мОм 0,049 Ом 49 FETBench FDP52N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 200 В 52 А 49 мОм 0,049 Ом 19 FETBench FDP61N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 200 В 61 А 41 мОм 0,041 Ом 58 FETBench FDB2614 200В N-канальный PowerTrench MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 200 В 62 А 27 мОм 0,027 Ом 76 FETBench FQA65N20 200В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 65 А 32 мОм 0,032 Ом 170 FETBench FDA70N20 200В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 200 В 70 А 35 мОм 0,035 Ом 66 FETBench FQT2P25 250В P-канальный QFET P Одиночный SOT-223 250 В 0,55 А 4000 мОм 4 Ом 6,5 FETBench FQT4N25 250В N-канальный QFET N Одиночный SOT-223 250 В 0,83 А 1750 мОм 1,75 Ом 4,3 FETBench FQPF2P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 250 В 1,8 А 4000 мОм 4 Ом 6,5 FETBench FQPF3N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 250 В 2,3 А 2200 мОм 2,2 Ом 4 FETBench FQP2P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 250 В 2,3 А 4000 мОм 4 Ом 6,5 FETBench FQB2P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 2,3 А 4000 мОм 4 Ом 6,5 FETBench FDMS2734 250В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET N Одиночный Power 56 (formerly MLP 5 x 6) 250 В 2,8 А 122 мОм 0,122 Ом 30 FETBench FQP3N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 250 В 2,8 А 2200 мОм 2,2 Ом 4 FETBench FQD4N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 3 А 1750 мОм 1,75 Ом 4,3 FETBench FDS2734 250В N-канальный UItraFET Trench® MOSFET N Одиночный SO-8 250 В 3 А 117 мОм 0,117 Ом 32 FETBench FQD4P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 3,1 А 2100 мОм 2,1 Ом 10 FETBench FQPF6N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 250 В 4 А 1000 мОм 1 Ом 6,6 FETBench FQP4P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 250 В 4 А 2100 мОм 2,1 Ом 10 FETBench FQB4P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 4 А 2100 мОм 2,1 Ом 10 FETBench FQPF6P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 250 В 4,2 А 1100 мОм 1,1 Ом 21 FETBench FDD6N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 4,4 А 1100 мОм 1,1 Ом 4,5 FETBench FQD6N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 4,4 А 1000 мОм 1 Ом 6,6 FETBench FQD6P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 4,7 А 1100 мОм 1,1 Ом 21 FETBench FQP6N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 250 В 5,5 А 1000 мОм 1 Ом 6,6 FETBench FQB6N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 5,5 А 1000 мОм 1 Ом 6,6 FETBench FQPF9P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 250 В 6 А 620 мОм 0,62 Ом 29 FETBench FQP6P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 250 В 6 А 1100 мОм 1,1 Ом 21 FETBench FQD8N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 6,2 А 550 мОм 0,55 Ом 12 FETBench FQAF9P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 7,1 А 620 мОм 0,62 Ом 29 FETBench FQD9N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 7,4 А 420 мОм 0,42 Ом 15,5 FETBench FQU9N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 250 В 7,4 А 420 мОм 0,42 Ом 15,5 FETBench FQB8N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 8 А 550 мОм 0,55 Ом 12 FETBench FQB9N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 8,8 А 430 мОм 0,43 Ом 26,5 FETBench FQPF9N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 250 В 8,8 А 430 мОм 0,43 Ом 26,5 FETBench FQP9N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 250 В 8,8 А 430 мОм 0,43 Ом 26,5 FETBench FQP9P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 250 В 9,4 А 620 мОм 0,62 Ом 29 FETBench FQB9P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 9,4 А 620 мОм 0,62 Ом 29 FETBench FQPF16N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 250 В 9,5 А 230 мОм 0,23 Ом 27 FETBench FQA9P25 250В P-канальный QFET P Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 10,5 А 620 мОм 0,62 Ом 29 FETBench FQAF16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 11,4 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FQPF27N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 250 В 14 А 110 мОм 0,11 Ом 50 FETBench FQI16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 250 В 15,6 А 270 мОм 0,27 Ом 10,2 FETBench FQPF16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 250 В 15,6 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FQP16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 250 В 15,6 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FQB16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 15,6 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FQD16N25C 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 250 В 16 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FQP16N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 250 В 16 А 230 мОм 0,23 Ом 27 FETBench FQB16N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 16 А 230 мОм 0,23 Ом 27 FETBench FQA16N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 17,8 А 270 мОм 0,27 Ом 41 FETBench FDPF44N25T 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 250 В 18 А 69 мОм 0,069 Ом 47 FETBench FDPF33N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 250 В 20 А 94 мОм 0,094 Ом 36,8 FETBench FQAF34N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 21,7 А 85 мОм 0,085 Ом 60 FETBench FQAF40N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 24 А 70 мОм 0,07 Ом 85 FETBench FQP27N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 250 В 25,5 А 110 мОм 0,11 Ом 50 FETBench FQI27N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 250 В 25,5 А 110 мОм 0,11 Ом 50 FETBench FQA27N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 27 А 110 мОм 0,11 Ом 50 FETBench FDPF51N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 250 В 28 А 60 мОм 0,06 Ом 55 FETBench FDB33N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 33 А 94 мОм 0,094 Ом 36,8 FETBench FDP33N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 250 В 33 А 94 мОм 0,094 Ом 36,8 FETBench FDI33N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220/TO-262(I2PAK) 250 В 33 А 94 мОм 0,094 Ом 36,8 FETBench FDAF69N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 34 А 41 мОм 0,041 Ом 77 FETBench FQA34N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 34 А 85 мОм 0,085 Ом 60 FETBench FQA40N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 40 А 70 мОм 0,07 Ом 85 FETBench FDB44N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 44 А 69 мОм 0,069 Ом 47 FETBench FDB2710 250В N-канальный PowerTrench® MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 250 В 50 А 42 мОм 0,0425 Ом 78 FETBench FDP51N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 250 В 51 А 60 мОм 0,06 Ом 55 FETBench FQA55N25 250В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 55 А 40 мОм 0,04 Ом 140 FETBench FDA59N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 59 А 49 мОм 0,049 Ом 63 FETBench FQA62N25C 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 62 А 35 мОм 0,035 Ом 100 FETBench FDA69N25 250В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 250 В 69 А 41 мОм 0,041 Ом 77 FETBench FDAF62N28 280В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 280 В 36 А 51 мОм 0,051 Ом 77 FETBench FDAF75N28 280В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 280 В 46 А 41 мОм 0,041 Ом 111 FETBench FDA62N28 280В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 280 В 62 А 51 мОм 0,051 Ом 77 FETBench FDA75N28 280В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 280 В 75 А 41 мОм 0,041 Ом 111 FETBench FQPF2N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 300 В 2,1 А 3700 мОм 3,7 Ом 3,7 FETBench FQI2N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 300 В 2,1 А 3700 мОм 3,7 Ом 3,7 FETBench FQP3N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 300 В 3,2 А 2200 мОм 2,2 Ом 5,5 FETBench FQI3N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 300 В 3,2 А 2200 мОм 2,2 Ом 5,5 FETBench FQB3N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 300 В 3,2 А 2200 мОм 2,2 Ом 5,5 FETBench FQD5N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 300 В 4,4 А 900 мОм 0,9 Ом 9,8 FETBench FQI5N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 300 В 5,4 А 900 мОм 0,9 Ом 9,8 FETBench FQB5N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 300 В 5,4 А 900 мОм 0,9 Ом 9,8 FETBench FQP5N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 300 В 5,4 А 900 мОм 0,9 Ом 9,8 FETBench FQD7N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 300 В 5,5 А 700 мОм 0,7 Ом 13 FETBench FQPF9N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 300 В 6 А 450 мОм 0,45 Ом 17 FETBench FQB7N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 300 В 7 А 700 мОм 0,7 Ом 13 FETBench FQPF14N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 300 В 8,5 А 290 мОм 0,29 Ом 30 FETBench FQP9N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 300 В 9 А 450 мОм 0,45 Ом 17 FETBench FQB14N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 300 В 9,1 А 290 мОм 0,29 Ом 30 FETBench FQP14N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 300 В 9,1 А 290 мОм 0,29 Ом 30 FETBench FQPF22N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 300 В 12 А 160 мОм 0,16 Ом 47 FETBench FDPF14N30 300В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 300 В 14 А 290 мОм 0,29 Ом 18 FETBench FDB14N30 300В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 300 В 14 А 290 мОм 0,29 Ом 18 FETBench FQA14N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 300 В 15 А 290 мОм 0,29 Ом 30 FETBench FQP22N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 300 В 21 А 160 мОм 0,16 Ом 47 FETBench FDAF59N30 300В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 300 В 34 А 56 мОм 0,056 Ом 77 FETBench FQA38N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 300 В 38,4 А 85 мОм 0,085 Ом 90 FETBench FQA44N30 300В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 300 В 43,5 А 69 мОм 0,069 Ом 120 FETBench FDA59N30 300В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 300 В 59 А 56 мОм 0,056 Ом 77 FETBench FQB25N33 330В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 330 В 25 А 230 мОм 0,23 Ом 58 FETBench FDPF12N35 350В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 350 В 7,5 А 380 мОм 0,38 Ом 18 FETBench FQS4901 400В Сдвоенный N-канальный QFET N Сдвоенный SO-8 400 В 0,45 А 4200 мОм 4,2 Ом 5,8 FETBench FQD2N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 1,4 А 5800 мОм 5,8 Ом 4 FETBench FQD2P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 1,6 А 6500 мОм 6,5 Ом 10 FETBench FQPF3N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 400 В 1,6 А 3400 мОм 3,4 Ом 6 FETBench FQP2N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 1,8 А 5800 мОм 5,8 Ом 4 FETBench FDD3N40 400В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 2 А 3400 мОм 3,4 Ом 4,5 FETBench FQP2P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 400 В 2 А 6500 мОм 6,5 Ом 10 FETBench FQB2P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 2 А 6500 мОм 6,5 Ом 10 FETBench FQP3N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 2,5 А 3400 мОм 3,4 Ом 6 FETBench FQD4P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 2,7 А 3100 мОм 3,1 Ом 18 FETBench FQPF5N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 400 В 3 А 1600 мОм 1,6 Ом 10 FETBench FQU5N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 400 В 3,4 А 1600 мОм 1,6 Ом 10 FETBench FQD5N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 3,4 А 1600 мОм 1,6 Ом 10 FETBench FQP4P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 400 В 3,5 А 3100 мОм 3,1 Ом 18 FETBench FQI4P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 400 В 3,5 А 3100 мОм 3,1 Ом 18 FETBench FQB4P40 400В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 3,5 А 3100 мОм 3,1 Ом 18 FETBench FQD6N40C 400В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 400 В 4,5 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQP5N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 4,5 А 1600 мОм 1,6 Ом 10 FETBench FQB5N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 4,5 А 1600 мОм 1,6 Ом 10 FETBench FQU6N40C 400В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 400 В 4,5 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQPF7N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 400 В 4,6 А 800 мОм 0,8 Ом 16,5 FETBench FQP6N40C 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 400 В 6 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQP6N40CF 400В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 400 В 6 А 1100 мОм 1,1 Ом 16 FETBench FQPF6N40CF 400В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 400 В 6 А 1100 мОм 1,1 Ом 16 FETBench FQB6N40CF 400В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 6 А 1100 мОм 1,1 Ом 2,3 FETBench FQB6N40C 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 6 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQI6N40C 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 400 В 6 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQPF6N40C 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 400 В 6 А 1000 мОм 1 Ом 16 FETBench FQPF11N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 400 В 6,6 А 480 мОм 0,48 Ом 27 FETBench FQP7N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 7 А 800 мОм 0,8 Ом 16,5 FETBench IRFS750A 400В N-канальный A-FET N Одиночный TO-220F 400 В 8,4 А 300 мОм 0,3 Ом 101 FETBench FQAF11N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 8,8 А 480 мОм 0,48 Ом 27 FETBench FQPF17N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 400 В 9,5 А 270 мОм 0,27 Ом 45 FETBench FQP11N40C 400В N-канальный, новойd QFET C-серии N Одиночный TO-220 400 В 11 А 530 мОм 0,53 Ом 28 FETBench FQPF11N40C 400В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-220F 400 В 11 А 530 мОм 0,53 Ом 28 FETBench FQB11N40C 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 11 А 530 мОм 0,53 Ом 28 FETBench FQP11N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 11,4 А 480 мОм 0,48 Ом 27 FETBench FQB11N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 400 В 11,4 А 480 мОм 0,48 Ом 27 FETBench IRFS350A 400В N-канальный A-FET / аналог IRFS350 N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 11,5 А 300 мОм 0,3 Ом 101 FETBench FQAF17N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 12,2 А 270 мОм 0,27 Ом 45 FETBench FQP17N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 400 В 16 А 270 мОм 0,27 Ом 45 FETBench FQA17N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 17,2 А 270 мОм 0,27 Ом 45 FETBench FQA20N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 19,5 А 220 мОм 0,22 Ом 60 FETBench FQA30N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 30 А 140 мОм 0,14 Ом 90 FETBench FQH35N40 400В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 35 А 105 мОм 0,105 Ом 110 FETBench FQA35N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 400 В 35 А 105 мОм 0,105 Ом 110 FETBench FQL50N40 400В N-канальный QFET N Одиночный TO-264 400 В 50 А 75 мОм 0,075 Ом 160 FETBench SSM1N45B 450В N-канальный B-FET N Одиночный SOT-223 450 В 0,5 А 4250 мОм 4,25 Ом 6,5 FETBench SSN1N45B 450В N-канальный B-FET N Одиночный TO-92 450 В 0,5 А 4250 мОм 4,25 Ом 6,5 FETBench FQNL1N50B 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-92L 500 В 0,27 А 9000 мОм 9 Ом 4 FETBench FQNL2N50B 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-92L 500 В 0,35 А 5300 мОм 5,3 Ом 6 FETBench FQS4903 500В Сдвоенный N-канальный QFET N Сдвоенный SO-8 500 В 0,37 А 6200 мОм 6,2 Ом 6,3 FETBench FQN1N50C 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-92 500 В 0,38 А 6000 мОм 6 Ом 4,9 FETBench FQPF1P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 500 В 1 А 10500 мОм 10,5 Ом 11 FETBench FQD1N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 1,1 А 9000 мОм 9 Ом 4 FETBench FQU1N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 1,1 А 9000 мОм 9 Ом 4 FETBench FQD1P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 1,2 А 10500 мОм 10,5 Ом 11 FETBench FQP1N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 1,4 А 9000 мОм 9 Ом 4 FETBench FQB1P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 1,5 А 10500 мОм 10,5 Ом 11 FETBench FQP1P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 500 В 1,5 А 10500 мОм 10,5 Ом 11 FETBench FQI1P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 1,5 А 10500 мОм 10,5 Ом 11 FETBench FQD2N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 1,6 А 5300 мОм 5,3 Ом 6 FETBench FQU2N50B Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 1,6 А 5300 мОм 5,3 Ом 6 FETBench FQPF3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-220F 500 В 1,9 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQU3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 2,1 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQD3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 2,1 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQP2N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 2,1 А 5300 мОм 5,3 Ом 6 FETBench FQB2N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 2,1 А 5300 мОм 5,3 Ом 6 FETBench FQD3N50C 500В N-канальный, новойd QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 2,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 10 FETBench FQU3N50C 500В N-канальный, новойd QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 2,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 10 FETBench FQD4N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 2,6 А 2700 мОм 2,7 Ом 10 FETBench FQU4N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 2,6 А 2700 мОм 2,7 Ом 10 FETBench FQP3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-220 500 В 2,7 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQB3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 2,7 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQI3P50 500В P-канальный QFET P Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 2,7 А 4900 мОм 4,9 Ом 18 FETBench FQPF3N50C 500В N-канальный, новойd QFET C-серии N Одиночный TO-220F 500 В 3 А 2500 мОм 2,5 Ом 10 FETBench FQP3N50C 500В N-канальный, новойd QFET C-серии N Одиночный TO-220 500 В 3 А 2500 мОм 2,5 Ом 10 FETBench FQPF5N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 500 В 3 А 1800 мОм 1,8 Ом 13 FETBench FQP4N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 3,4 А 2700 мОм 2,7 Ом 10 FETBench FQPF6N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 500 В 3,6 А 1300 мОм 1,3 Ом 17 FETBench FQD5N50C 500В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 4 А 1400 мОм 1,4 Ом 18 FETBench FQU5N50C 500В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 4 А 1400 мОм 1,4 Ом 18 FETBench FQD6N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 4,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 19 FETBench FQB5N50CF 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 5 А 1550 мОм 1,55 Ом 18 FETBench FQP5N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 500 В 5 А 1400 мОм 1,4 Ом 18,1 FETBench FQPF5N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 500 В 5 А 1400 мОм 1,4 Ом 18 FETBench FQPF5N50CF 500В N-канальный C-FET (FRFET) N Одиночный TO-220F 500 В 5 А 1550 мОм 1,55 Ом 18 FETBench FQB5N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 5 А 1400 мОм 1,4 Ом 18 FETBench FQI5N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 5 А 1400 мОм 1,4 Ом 18 FETBench FQPF9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 500 В 5,3 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQP6N50C 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 500 В 5,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 19 FETBench FQP6N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 5,5 А 1300 мОм 1,3 Ом 17 FETBench FQI6N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 5,5 А 1300 мОм 1,3 Ом 17 FETBench FQB6N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 5,5 А 1300 мОм 1,3 Ом 17 FETBench FDD6N50 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 500 В 6 А 900 мОм 0,9 Ом 12,8 FETBench FDU6N50 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 500 В 6 А 900 мОм 0,9 Ом 12,8 FETBench FDPF7N50 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 500 В 7 А 900 мОм 0,9 Ом 12,8 FETBench FQAF9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 7,2 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQPF13N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 500 В 7,3 А 430 мОм 0,43 Ом 45 FETBench FDP18N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220 500 В 8 А 265 мОм 0,265 Ом 45 FETBench FDPF18N50T 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 8 А 265 мОм 0,265 Ом 45 FETBench FDPF18N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 8 А 265 мОм 0,265 Ом 45 FETBench FQI9N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 9 А 800 мОм 0,8 Ом 28 FETBench FQPF9N50CF 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 500 В 9 А 850 мОм 0,85 Ом 28 FETBench FQB9N50CF 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 9 А 850 мОм 0,85 Ом 28 FETBench FQPF9N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 500 В 9 А 800 мОм 0,8 Ом 28 FETBench FQP9N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 500 В 9 А 800 мОм 0,8 Ом 28 FETBench FQP9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 9 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQB9N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 9 А 800 мОм 0,8 Ом 28 FETBench FQI9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 9 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQB9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 9 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQA9N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 9,6 А 730 мОм 0,73 Ом 28 FETBench FQPF10N50CF 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 500 В 10 А 610 мОм 0,61 Ом 43 FETBench FQPF11N50CF 500В N-канальный, новойd Q-FET C-серии (FRFET) N Одиночный TO-220F 500 В 11 А 550 мОм 0,55 Ом 43 FETBench FQP11N50CF 500В N-канальный, новойd Q-FET C-серии (FRFET) N Одиночный TO-220 500 В 11 А 550 мОм 0,55 Ом 43 FETBench FQAF16N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 11,3 А 320 мОм 0,32 Ом 17 FETBench FQP13N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 500 В 12,5 А 430 мОм 0,43 Ом 45 FETBench FQPF13N50CF 500В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 500 В 13 А 540 мОм 0,54 Ом 43 FETBench FQPF13N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 500 В 13 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench FQP13N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 500 В 13 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench FQI13N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 500 В 13 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench FQB13N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 13 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench FQA13N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 13,4 А 430 мОм 0,43 Ом 45 FETBench FQA13N50C 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 13,5 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench IRFP460C 500В N-канальный C-FET / аналог SSH20N50, SSH22N50A,IRFP460 N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 14 А 240 мОм 0,24 Ом 87 FETBench FQA13N50CF 500В N-канальный C-FET (FRFET) N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF TO-3PN 500 В 15 А 480 мОм 0,48 Ом 43 FETBench FDB15N50 15A, 500V, 0.38 Ом, N-канальный SMPS Power MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 500 В 15 А 380 мОм 0,38 Ом 33 FETBench FDPF16N50T 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 16 А 380 мОм 0,38 Ом 32 FETBench FDP16N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220 500 В 16 А 390 мОм 0,39 Ом 32 FETBench FDPF16N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 16 А 380 мОм 0,38 Ом 32 FETBench FDA16N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-3PN 500 В 16,5 А 380 мОм 0,38 Ом 32 FETBench FDA18N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-3PN 500 В 19 А 265 мОм 0,265 Ом 45 FETBench FDP20N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220 500 В 20 А 230 мОм 0,23 Ом 45,6 FETBench FDPF20N50T 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 20 А 230 мОм 0,23 Ом 45,6 FETBench FDPF20N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-220F 500 В 20 А 230 мОм 0,23 Ом 45,6 FETBench FQH18N50V2 500В N-канальный, новойd QFET V2 series N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 20 А 265 мОм 0,265 Ом 42 FETBench FDA20N50 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ N Одиночный TO-3PN 500 В 22 А 230 мОм 0,23 Ом 45,6 FETBench FQA24N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 24 А 200 мОм 0,2 Ом 90 FETBench FQA24N50F 500В N-канальный FRFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 24 А 200 мОм 0,2 Ом 90 FETBench FDH27N50 Одиночный Commercial N-канальный SMPS Power MOSFET, 500V, 27A, 0.19 Ом @ В Uзи= 10V, TO-247 корпусе N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 27 А 190 мОм 0,19 Ом 56 FETBench FQA28N50F 500В N-канальный FRFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 28,4 А 160 мОм 0,16 Ом 110 FETBench FQA28N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 28,4 А 160 мОм 0,16 Ом 110 FETBench FQL40N50 500В N-канальный QFET N Одиночный TO-264 500 В 40 А 110 мОм 0,11 Ом 155 FETBench FQL40N50F 500В N-канальный FRFET N Одиночный TO-264 500 В 40 А 110 мОм 0,11 Ом 155 FETBench FDH44N50 Одиночный Commercial N-канальный SMPS MOSFET, 500V, 44A, 0.120 Ом @ Vgs=10V, TO-247 корпусе N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 44 А 120 мОм 0,12 Ом 90 FETBench FDH45N50F 500В N-канальный MOSFET, FRFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 45 А 120 мОм 0,12 Ом 105 FETBench FDH50N50 500В N-канальный UniFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 48 А 105 мОм 0,105 Ом 105 FETBench FDA50N50 500В N-канальный UniFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 500 В 48 А 105 мОм 0,105 Ом 105 FETBench FQN1N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-92 600 В 0,3 А 11500 мОм 11,5 Ом 4,8 FETBench FQU1N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 1 А 11500 мОм 11,5 Ом 4,8 FETBench FQD1N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 1 А 11500 мОм 11,5 Ом 4,8 FETBench FQD1N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 1 А 11500 мОм 11,5 Ом 5 FETBench FQU2N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 1,9 А 4700 мОм 4,7 Ом 8,5 FETBench FQD2N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 1,9 А 4700 мОм 4,7 Ом 8,5 FETBench FQPF2N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 2 А 4700 мОм 4,7 Ом 8,5 FETBench FQP2N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 2 А 4700 мОм 4,7 Ом 8,5 FETBench FQPF3N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 2 А 3600 мОм 3,6 Ом 10 FETBench FQU2N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 2 А 4700 мОм 4,7 Ом 9 FETBench FQU3N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 2,4 А 3400 мОм 3,4 Ом 10,5 FETBench FQD3N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 2,4 А 3400 мОм 3,4 Ом 10,5 FETBench FQD3N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 2,4 А 3600 мОм 3,6 Ом 10 FETBench FQU3N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 2,4 А 3600 мОм 3,6 Ом 10 FETBench FQPF4N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 2,6 А 2200 мОм 2,2 Ом 15 FETBench FQD5N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 2,8 А 2500 мОм 2,5 Ом 15 FETBench FQPF5N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 2,8 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQU5N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 2,8 А 2500 мОм 2,5 Ом 15 FETBench FQP3N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 600 В 3 А 3400 мОм 3,4 Ом 10,5 FETBench FQP3N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 600 В 3 А 3600 мОм 3,6 Ом 10 FETBench FQB3N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 3 А 3400 мОм 3,4 Ом 10,5 FETBench FQPF6N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 3,6 А 1500 мОм 1,5 Ом 20 FETBench FCD4N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 3,9 А 1200 мОм 1,2 Ом 12,8 FETBench FCP4N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 600 В 3,9 А 1200 мОм 1,2 Ом 12,8 FETBench FQD6N60C 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 4 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQPF7N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 4,3 А 1000 мОм 1 Ом 29 FETBench FQP4N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 600 В 4,4 А 2200 мОм 2,2 Ом 15 FETBench FQPF5N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 4,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 15 FETBench FQP5N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 4,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 15 FETBench FQI5N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 4,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 15 FETBench FCD5N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 4,6 А 950 мОм 0,95 Ом 16 FETBench FCU5N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 4,6 А 950 мОм 0,95 Ом 16 FETBench FQB5N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 5 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQPF6N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 5,5 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQP6N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 5,5 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQI6N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 5,5 А 2000 мОм 2 Ом 16 FETBench FQPF12N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 600 В 5,8 А 700 мОм 0,7 Ом 42 FETBench FQB6N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 6,2 А 1500 мОм 1,5 Ом 20 FETBench FQP6N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 600 В 6,2 А 1500 мОм 1,5 Ом 20 FETBench FQB8N60CF 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 6,26 А 1500 мОм 1,5 Ом 28 FETBench FQPF8N60CF 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 600 В 6,26 А 1500 мОм 1,5 Ом 28 FETBench FCP7N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220 600 В 7 А 600 мОм 0,6 Ом 25 FETBench FCI7N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 7 А 600 мОм 0,6 Ом 25 FETBench FCPF7N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220F 600 В 7 А 600 мОм 0,6 Ом 25 FETBench FCD7N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 600 В 7 А 600 мОм 0,6 Ом 23 FETBench FCU7N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 600 В 7 А 600 мОм 0,6 Ом 23 FETBench FQI7N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 7,4 А 1000 мОм 1 Ом 29 FETBench FQB7N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 7,4 А 1000 мОм 1 Ом 29 FETBench FQP7N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 600 В 7,4 А 1000 мОм 1 Ом 29 FETBench FQPF8N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 7,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 28 FETBench FQP8N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 7,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 28 FETBench FQI8N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 7,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 28 FETBench FQB8N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 7,5 А 1200 мОм 1,2 Ом 28 FETBench FQA7N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 7,7 А 1000 мОм 1 Ом 29 FETBench FQPF10N60CF 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 600 В 9 А 800 мОм 0,8 Ом 44 FETBench FQPF10N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 9,5 А 730 мОм 0,73 Ом 44 FETBench FQP10N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 9,5 А 730 мОм 0,73 Ом 44 FETBench FQI10N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 9,5 А 730 мОм 0,73 Ом 44 FETBench FQB10N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 9,5 А 730 мОм 0,73 Ом 44 FETBench FQA10N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 10 А 730 мОм 0,73 Ом 44 FETBench FCB11N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCI11N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCP11N60F 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCB11N60F 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCPF11N60F 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220F 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCPF11N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220F 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FCP11N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220 600 В 11 А 380 мОм 0,38 Ом 40 FETBench FQAF19N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 11,2 А 380 мОм 0,38 Ом 70 FETBench FQPF12N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 600 В 12 А 650 мОм 0,65 Ом 48 FETBench FQP12N60C 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 600 В 12 А 650 мОм 0,65 Ом 48 FETBench FQB12N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 12 А 650 мОм 0,65 Ом 48 FETBench FQI12N60C 600В N-канальный, новой QFET C-серии N Одиночный TO-262(I2PAK) 600 В 12 А 650 мОм 0,65 Ом 48 FETBench FCP16N60 600В N-канальный MOSFET SuperFET N Одиночный TO-220 600 В 16 А 260 мОм 0,26 Ом FETBench FCA16N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 600 В 16 А 260 мОм 0,26 Ом FETBench FCPF16N60 600В N-канальный SuperFET™ N Одиночный TO-220F 600 В 16 А 260 мОм 0,26 Ом 50 FETBench FQA19N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 18,5 А 380 мОм 0,38 Ом 70 FETBench FCP20N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCPF20N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-220F 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCA20N60 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCB20N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCH20N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCB20N60F 600В N-канальный FRFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FCA20N60F 600В N-канальный FRFET N Одиночный TO-3PN 600 В 20 А 190 мОм 0,19 Ом 75 FETBench FQA24N60 600В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 23,5 А 240 мОм 0,24 Ом 110 FETBench FCH47N60F 600В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 47 А 73 мОм 0,073 Ом 210 FETBench FCH47N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 600 В 47 А 70 мОм 0,07 Ом 210 FETBench FCA47N60 600В N-канальный SuperFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF TO-3PN 600 В 47 А 70 мОм 0,07 Ом 210 FETBench FQPF7N65C 650В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 650 В 7 А 1400 мОм 1,4 Ом 28 FETBench FDPF15N65 650В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220F 650 В 7 А 440 мОм 0,44 Ом 48,5 FETBench FQP7N65C 650В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 650 В 7 А 1400 мОм 1,4 Ом 28 FETBench FQB7N65C 650В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 650 В 7 А 1400 мОм 1,4 Ом 28 FETBench FQA7N65C 650В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 650 В 7 А 1400 мОм 1,4 Ом 28 FETBench FDP15N65 650В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-220 650 В 15 А 440 мОм 0,44 Ом 48,5 FETBench FDA15N65 650В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 650 В 16 А 440 мОм 0,44 Ом 48,5 FETBench FQPF2N70 700В N-канальный Q-FET N Одиночный TO-220F 700 В 2 А 6300 мОм 6,3 Ом 8,1 FETBench FQPF6N70 700В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 700 В 3,5 А 1500 мОм 1,5 Ом 30 FETBench FQAF15N70 700В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 700 В 9,5 А 560 мОм 0,56 Ом 70 FETBench FQD1N80 Power MOSFET N Одиночный TO-252(DPAK) 800 В 1 А 20000 мОм 20 Ом 5,5 FETBench FQU1N80 Power MOSFET N Одиночный TO-251(IPAK) 800 В 1 А 20000 мОм 20 Ом 5,5 FETBench FQPF2N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 800 В 1,5 А 6300 мОм 6,3 Ом 12 FETBench FQD2N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 800 В 1,8 А 6300 мОм 6,3 Ом 12 FETBench FQPF3N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 800 В 1,8 А 5000 мОм 5 Ом 15 FETBench FQU2N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 800 В 1,8 А 6300 мОм 6,3 Ом 12 FETBench FQPF4N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 800 В 2,2 А 3600 мОм 3,6 Ом 19 FETBench FQP2N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 800 В 2,4 А 6300 мОм 6,3 Ом 12 FETBench FQPF3N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 800 В 3 А 4800 мОм 4,8 Ом 13 FETBench FQP3N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 800 В 3 А 4800 мОм 4,8 Ом 13 FETBench FQPF6N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 800 В 3,3 А 1950 мОм 1,95 Ом 31 FETBench FQPF7N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 800 В 3,8 А 1500 мОм 1,5 Ом 40 FETBench FQP4N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 800 В 3,9 А 3600 мОм 3,6 Ом 19 FETBench FQB4N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 800 В 3,9 А 3600 мОм 3,6 Ом 19 FETBench FQI4N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 800 В 3,9 А 3600 мОм 3,6 Ом 19 FETBench FQAF6N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 800 В 4,4 А 1950 мОм 1,95 Ом 31 FETBench FQP5N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 800 В 4,8 А 2600 мОм 2,6 Ом 25 FETBench FQAF7N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 800 В 5 А 1500 мОм 1,5 Ом 40 FETBench FQPF6N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 800 В 5,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 21 FETBench FQP6N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 800 В 5,5 А 2500 мОм 2,5 Ом 21 FETBench FQP6N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 800 В 5,8 А 1950 мОм 1,95 Ом 31 FETBench FQB6N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 800 В 5,8 А 1950 мОм 1,95 Ом 31 FETBench FQAF8N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 800 В 5,9 А 1200 мОм 1,2 Ом 44 FETBench FQA6N80 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 6,3 А 1950 мОм 1,95 Ом 31 FETBench FQPF7N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 800 В 6,6 А 1900 мОм 1,9 Ом 27 FETBench FQP7N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 800 В 6,6 А 1900 мОм 1,9 Ом 27 FETBench FQP7N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 800 В 6,6 А 1500 мОм 1,5 Ом 40 FETBench FQI7N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 800 В 6,6 А 1500 мОм 1,5 Ом 40 FETBench FQAF10N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 800 В 6,7 А 1050 мОм 1,05 Ом 55 FETBench FQA7N80C 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 7 А 1900 мОм 1,9 Ом 27 FETBench FQA7N80 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 7,2 А 1500 мОм 1,5 Ом 40 FETBench FQPF8N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 800 В 8 А 1550 мОм 1,55 Ом 35 FETBench FQP8N80C 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 800 В 8 А 1550 мОм 1,55 Ом 35 FETBench FQAF13N80 800В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 800 В 8 А 750 мОм 0,75 Ом 68 FETBench FQA8N80 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 8,4 А 1200 мОм 1,2 Ом 44 FETBench FQA8N80C 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 8,4 А 1550 мОм 1,55 Ом 35 FETBench FQA10N80 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 9,8 А 1050 мОм 1,05 Ом 55 FETBench FQA10N80C 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 10 А 1100 мОм 1,1 Ом 45 FETBench FQA13N80 800В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 800 В 12,6 А 750 мОм 0,75 Ом 68 FETBench FQPF2N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 900 В 1,4 А 7200 мОм 7,2 Ом 12 FETBench FQU2N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 900 В 1,7 А 7200 мОм 7,2 Ом 12 FETBench FQD2N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 900 В 1,7 А 7200 мОм 7,2 Ом 12 FETBench FQPF2NA90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 900 В 1,7 А 5800 мОм 5,8 Ом 15 FETBench FQP2N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 900 В 2,2 А 7200 мОм 7,2 Ом 12 FETBench FQB2N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 900 В 2,2 А 7200 мОм 7,2 Ом 12 FETBench FQPF4N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 900 В 2,5 А 3100 мОм 3,1 Ом 24 FETBench FQP2NA90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 900 В 2,8 А 5800 мОм 5,8 Ом 15 FETBench FQPF5N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220F 900 В 3 А 2300 мОм 2,3 Ом 31 FETBench FQI3N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 900 В 3,6 А 4250 мОм 4,25 Ом 20 FETBench FQB3N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 900 В 3,6 А 4250 мОм 4,25 Ом 20 FETBench FQPF4N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 900 В 4 А 4200 мОм 4,2 Ом 17 FETBench FQP4N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 900 В 4 А 4200 мОм 4,2 Ом 17 FETBench FQP4N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-220 900 В 4,2 А 3100 мОм 3,1 Ом 24 FETBench FQI4N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-262(I2PAK) 900 В 4,2 А 3100 мОм 3,1 Ом 24 FETBench FQB4N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 900 В 4,2 А 3100 мОм 3,1 Ом 24 FETBench FQAF7N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 900 В 5,2 А 1550 мОм 1,55 Ом 45 FETBench FQB5N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-263(D2PAK) 900 В 5,4 А 2300 мОм 2,3 Ом 31 FETBench FQA5N90 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 5,8 А 2300 мОм 2,3 Ом 31 FETBench FQP6N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 900 В 6 А 2300 мОм 2,3 Ом 30 FETBench FQA6N90C 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 6 А 2300 мОм 2,3 Ом 30 FETBench FQPF6N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 900 В 6 А 2300 мОм 2,3 Ом 30 FETBench FQPF8N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 900 В 6 А 1900 мОм 1,9 Ом 35 FETBench FQP8N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 900 В 6 А 1900 мОм 1,9 Ом 35 FETBench FQA7N90M 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 7 А 1800 мОм 1,8 Ом 40 FETBench FQAF11N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 900 В 7,2 А 1100 мОм 1,1 Ом 60 FETBench FQAF11N90 900В N-канальный QFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 900 В 7,2 А 960 мОм 0,96 Ом 72 FETBench FQA7N90 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 7,4 А 1550 мОм 1,55 Ом 45 FETBench FQP9N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220 900 В 8 А 1400 мОм 1,4 Ом 45 FETBench FQA8N90C 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 8 А 1900 мОм 1,9 Ом 35 FETBench FQPF9N90C 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии N Одиночный TO-220F 900 В 8 А 1400 мОм 1,4 Ом 45 FETBench FQA9N90 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 8,6 А 1300 мОм 1,3 Ом 55 FETBench FQA9N90C 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 9 А 1400 мОм 1,4 Ом 45 FETBench FQA11N90C 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 11 А 1400 мОм 1,4 Ом 60 FETBench FQA11N90 900В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-3PN 900 В 11,4 А 960 мОм 0,96 Ом 72 FETBench FQU2N100 1000В N-канальный QFET N Одиночный TO-251(IPAK) 1000 В 1,7 А 10000 мОм 10 Ом 12 FETBench FQD2N100 1000В N-канальный QFET N Одиночный TO-252(DPAK) 1000 В 1,7 А 9 мОм 0,009 Ом 12 FETBench FQA8N100C 1000В N-канальный MOSFET N Одиночный TO-247/TO-3P/TO-3PF 1000 В 8 А 1450 мОм 1,45 Ом 53 FETBench
Полевые транзисторы (Power MOSFET)
Технология Fairchild
Низкое напряжение
| Низковольтные транзисторы | Особенности и преимущества | Диапазоны напряжений |
|---|---|---|
| PowerTrench® | · Высокопроизводительная технология для получения лучшего параметра FOM [RDS(ON) * QG] и низкого сопротивления открытого канала для высокоэффективного управления питанием | 20В N-канал |
| 30В N-канал | ||
| 40В N-канал | ||
| 60…220В N-канал | ||
| 20В P-канал | ||
| 30В P-канал | ||
| 40В P-канал | ||
| 60…220В P-канал | ||
| Двойной N-канал | ||
| Комплиментарные пары | ||
| · Современные корпуса предоставляют низкое тепловое сопротивление | Интегрированные N-канал и диод Шоттки | |
| Интегрированный P-канал и диод Шоттки |
| Корпуса |
|---|
| BGA |
| WL-CSP |
| MicroFET™ - MLP |
| MicroFET™ - SC75 |
| Power33 |
| Power 33 (PQFN) |
| Power56 |
| SC70 |
| SC-89 |
| SOIC-8 |
| SOT-23/SuperSOT-3 |
| SSOT-3 |
| SSOT-6 |
| TO-252 (D-PAK) |
Высокое напряжение
| Высоковольтные транзисторы | Особенности и преимущества | Диапазоны напряжений |
|---|---|---|
| Технология UniFET™ DMOS | · Низкий заряд стока (38 нКл) | 150…650 В |
| · Низкая Crss (57 пФ) | ||
| · Быстрое переключение | ||
| · 100% тестирование на потоке | ||
| Планарная технология QFET® C-серия | · Низкий заряд стока (4.8 нКл) | 200…1000 В |
| · Низкая Crss (3.5 пФ) | ||
| · Быстрое переключение | ||
| Планарная технология QFET® V2-серия | · Низкое RDS(ON) | 200…500 В |
| · Лучшее в классе отношение di/dt | ||
| · Low o tput capacitance Coss | ||
| Технология SuperFET™ Trench | · Ультранизкое RDS(ON) | 600…650 В |
| · Лучшее в классе отношение di/dt | ||
| · Низкая эффективная выходная емкость Coss.eff | ||
| Технология SuperFET™ FRFET Trench | · Малое trr и Qrr дает высокие рабочие частоты (>250 кГц) | 500…600 В |
| · Повышена нечувствительность диода к скорости восстановления | ||
| · Улучшенные характеристики по ЭМИ (мягкое восстановление) |
| Корпуса |
|---|
| TO-220 |
| TO-220F |
| TO-247 |
| TO-251 (I-PAK) |
| TO-252 (D-PAK) |
| TO-262 (I2-PAK) |
| TO-263 (D2-PAK) |
| TO-264 |
| TO-3P |
| TO-92L |
Выбор корпуса для низковольтных транзисторов
Fairchild - это поставщик всего спектра компонентов для источников питания. Наши продукты включают широкий выбор при различном сочетании размера и производительности. 
Код для заказа высоковольтных транзисторов Выбирайте коды для заказа транзисторов различных технологий - QFET, UniFET, SuperFET, FRFET
-
ПроизводительКорпусОписание